特許

J-GLOBAL ID：201803014818932908

マイクロ波プラズマ処理装置

発明者： 池田 太郎
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (2件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-134860
公開番号（公開出願番号）：特開2018-006256
出願日： 2016年07月07日
公開日（公表日）： 2018年01月11日
要約：

【課題】マイクロ波の放射効率を高めることを目的とする。【解決手段】基板を収容するチャンバと、前記チャンバ内にマイクロ波を放射するマイクロ波放射部材とを有し、表面波プラズマによって基板にプラズマ処理を施すマイクロ波プラズマ処理装置であって、前記マイクロ波放射部材は、金属の本体部と、前記本体部内のマイクロ波が導入される側に形成され、マイクロ波を透過させる誘電体の遅波材と、前記本体部内の前記遅波材の外周部及び内周部の少なくともいずれかに配置され、前記遅波材よりも比誘電率が低い誘電体の共振機構と、前記遅波材の下面にて長手方向がマイクロ波の磁場方向と揃うように形成され、前記遅波材及び前記共振機構を伝播したマイクロ波を放射する複数のスロットと、を有するマイクロ波プラズマ処理装置が提供される。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板を収容するチャンバと、前記チャンバ内にマイクロ波を放射するマイクロ波放射部材とを有し、表面波プラズマによって基板にプラズマ処理を施すマイクロ波プラズマ処理装置であって、 前記マイクロ波放射部材は、 金属の本体部と、 前記本体部内のマイクロ波が導入される側に形成され、マイクロ波を透過させる誘電体の遅波材と、 前記本体部内の前記遅波材の外周部及び内周部の少なくともいずれかに配置され、前記遅波材よりも比誘電率が低い誘電体の共振機構と、 前記遅波材の下面にて長手方向がマイクロ波の磁場方向と揃うように形成され、前記遅波材及び前記共振機構を伝播したマイクロ波を放射する複数のスロットと、 を有するマイクロ波プラズマ処理装置。

IPC (5件)：

H05H 1/46 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/511

FI (5件)：

H05H1/46 B ,  H01L21/302 101D ,  H01L21/31 C ,  H01L21/205 ,  C23C16/511

Fターム (65件)：

2G084AA02 ,  2G084AA03 ,  2G084AA05 ,  2G084AA07 ,  2G084BB02 ,  2G084BB05 ,  2G084BB11 ,  2G084BB37 ,  2G084CC06 ,  2G084CC12 ,  2G084CC16 ,  2G084CC33 ,  2G084DD02 ,  2G084DD05 ,  2G084DD11 ,  2G084DD12 ,  2G084DD15 ,  2G084DD18 ,  2G084DD19 ,  2G084DD23 ,  2G084DD25 ,  2G084DD38 ,  2G084DD41 ,  2G084DD47 ,  2G084DD48 ,  2G084DD51 ,  2G084DD55 ,  2G084DD56 ,  2G084DD61 ,  2G084DD62 ,  2G084DD63 ,  2G084DD64 ,  2G084DD66 ,  2G084DD68 ,  2G084EE03 ,  2G084EE06 ,  2G084FF01 ,  2G084FF14 ,  2G084FF15 ,  2G084FF23 ,  2G084FF39 ,  2G084FF40 ,  4K030CA04 ,  4K030EA06 ,  4K030FA01 ,  4K030FA03 ,  4K030JA01 ,  4K030JA02 ,  4K030KA30 ,  4K030KA46 ,  5F004AA01 ,  5F004BB14 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F045AA09 ,  5F045AC01 ,  5F045DP03 ,  5F045EF05 ,  5F045EH02 ,  5F045EH03