特許
J-GLOBAL ID:201803014866667760
超音波イメージング装置のための容量キャンセレーションを備えた画素受信器
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
蔵田 昌俊
, 福原 淑弘
, 井関 守三
, 岡田 貴志
, 中丸 慶洋
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-511100
公開番号(公開出願番号):特表2018-533997
出願日: 2016年08月15日
公開日(公表日): 2018年11月22日
要約:
超音波イメージング装置のための画素センサのような装置が開示される。装置は、圧電層に結合された第1のメタライゼーション層と、ここにおいて、第1の電圧は、超音波がイメージング対象アイテム(例えば、ユーザの指紋)に反射して圧電層中を伝播することに応答して第1のメタライゼーション層において生成され、第1のメタライゼーション層は、基板の上方に位置する、第1のメタライゼーション層と基板との間に位置する第2のメタライゼーション層と、第1のメタライゼーション層と基板との間の寄生容量を低減するために第2の電圧を第2のメタライゼーション層に印加するように構成されたデバイスとを含む。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
装置であって、
圧電層に結合された第1のメタライゼーション層と、ここにおいて、第1の電圧は、超音波がイメージング対象アイテムに反射して、前記圧電層中を伝播することに応答して前記第1のメタライゼーション層において生成され、前記第1のメタライゼーション層は、基板の上方に位置する、
前記第1のメタライゼーション層と前記基板との間に位置する第2のメタライゼーション層と、
前記第1のメタライゼーション層と前記基板との間の寄生容量を低減するために第2の電圧を前記第2のメタライゼーション層に印加するように構成されたデバイスと
を備える装置。
IPC (4件):
A61B 5/117
, A61B 8/14
, H04R 3/00
, H04R 17/00
FI (4件):
A61B5/1172
, A61B8/14
, H04R3/00 330
, H04R17/00 332B
Fターム (13件):
4C038FG00
, 4C038VB13
, 4C038VB23
, 4C038VC20
, 4C601EE02
, 4C601GB06
, 4C601GB16
, 4C601GB18
, 4C601GB19
, 4C601GB41
, 5D019AA21
, 5D019BB19
, 5D019FF04
引用特許:
前のページに戻る