特許

J-GLOBAL ID：201803014928980282

レジスト層の薄膜化装置

発明者： 相澤 和佳奈
出願人/特許権者： 三菱製紙株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-180250
公開番号（公開出願番号）：特開2018-045116
出願日： 2016年09月15日
公開日（公表日）： 2018年03月22日
要約：

【課題】本発明の課題は、レジストパターンの形成における解像性と追従性の問題を解決しながら、レジスト層の薄膜化処理で問題となる気泡による処理ムラの問題を解決することのできるレジスト層の薄膜化装置を提供することである。【解決手段】アルカリ水溶液によってレジスト層を薄膜化処理するためのディップ槽と、レジスト層が形成された基板をアルカリ水溶液中に浸漬されたままの状態で搬送する搬送ロール対と、アルカリ水溶液をディップ槽に供給するアルカリ水溶液供給口と、アルカリ水溶液供給口と搬送ロール対との間に備えられた気泡誘導板とを備えてなるレジスト層の薄膜化処理装置において、気泡誘導板が凹凸を有することと特徴とするレジスト層の薄膜化装置。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

アルカリ水溶液によってレジスト層を薄膜化処理するためのディップ槽と、レジスト層が形成された基板をアルカリ水溶液中に浸漬されたままの状態で搬送する搬送ロール対と、アルカリ水溶液をディップ槽に供給するアルカリ水溶液供給口と、アルカリ水溶液供給口と搬送ロール対との間に備えられた気泡誘導板とを備えてなるレジスト層の薄膜化処理装置において、気泡誘導板が凹凸を有することを特徴とするレジスト層の薄膜化装置。

IPC (2件)：

G03F 7/38 ,  H05K 3/28

FI (3件)：

G03F7/38 501 ,  H05K3/28 E ,  H05K3/28 B

Fターム (22件)：

2H196AA26 ,  2H196BA05 ,  2H196BA06 ,  2H196DA04 ,  2H196EA02 ,  2H196GA08 ,  2H196HA11 ,  2H196JA02 ,  5E314AA25 ,  5E314AA27 ,  5E314BB02 ,  5E314BB10 ,  5E314BB11 ,  5E314CC01 ,  5E314CC15 ,  5E314EE01 ,  5E314EE10 ,  5E314FF05 ,  5E314FF06 ,  5E314FF17 ,  5E314GG17 ,  5E314GG26