特許

J-GLOBAL ID：201803015244405684

光電変換素子及びその製造方法

発明者： 福西 佐季子 ,  ▲高▼野 一史 ,  奥 健夫 ,  白幡 泰浩 ,  鈴木 厚志
出願人/特許権者： 大阪ガスケミカル株式会社 ,  公立大学法人 滋賀県立大学
代理人 (2件)： 鍬田 充生 ,  阪中 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-238926
公開番号（公開出願番号）：特開2018-098276
出願日： 2016年12月09日
公開日（公表日）： 2018年06月21日
要約：

【課題】高い光電変換効率を有するペロブスカイト型の光電変換素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の光電変換素子は、ペロブスカイト型構造を有する化合物を含むペロブスカイト層と正孔輸送層とを含む光電変換素子であって、前記正孔輸送層が、下記式(1)で表される化合物と、ポリシランとを含んでいる。(式中、Zは同一又は異なってアレーン環、R1は同一又は異なってアルコキシ基、kは同一又は異なって0以上の整数を示す。)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

ペロブスカイト型構造を有する化合物を含むペロブスカイト層と、正孔輸送層とを含む光電変換素子であって、前記正孔輸送層が、下記式(1)

IPC (1件)：

H01L 51/44

FI (1件)：

H01L31/04 112Z

Fターム (5件)：

5F151AA11 ,  5F151CB13 ,  5F151CB24 ,  5F151FA06 ,  5F151GA02