半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：中島淳 , 加藤和詳 , 福田浩志
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-132697
公開番号（公開出願番号）：特開2015-008208
特許番号：特許第6247463号
出願日： 2013年06月25日
公開日（公表日）： 2015年01月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板に該半導体基板の一主面から不純物の導入を複数回行って、前記半導体基板の前記一主面からの距離が異なる位置に複数の不純物領域を形成する工程と、前記複数の不純物領域のうちの少なくとも一つが内面に露出しかつ他の少なくとも1つが底部より深い位置となるトレンチを前記半導体基板の前記一主面に形成するエッチング工程と、前記少なくとも一つの不純物領域が前記トレンチの内面に露出した状態で前記複数の不純物領域を熱拡散させるとともに前記トレンチをアニール処理する工程と、を含む半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：