特許

J-GLOBAL ID：201803015674776627

RAMO4基板

発明者： 鷹巣 良史 ,  岡山 芳央 ,  石橋 明彦 ,  田代 功 ,  上田 章雄 ,  信岡 政樹 ,  領木 直矢
出願人/特許権者： パナソニックIPマネジメント株式会社
代理人 (1件)： 鷲田 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-051269
公開番号（公開出願番号）：特開2018-108932
出願日： 2018年03月19日
公開日（公表日）： 2018年07月12日
要約：

【課題】より高品質な基板を提供すること。【解決手段】一般式RAMO4で表される単結晶体(一般式において、Rは、Sc、In、Y、およびランタノイド系元素からなる群から選択される一つまたは複数の三価の元素を表し、Aは、Fe(III)、Ga、およびAlからなる群から選択される一つまたは複数の三価の元素を表し、Mは、Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn、およびCdからなる群から選択される一つまたは複数の二価の元素を表す)からなるRAMO4基板であり、少なくとも一方の面にエピタキシャル成長面を有し、前記エピタキシャル成長面の100μm2の領域における表面粗さRaが、0.08nm以上0.5nm以下である、RAMO4基板。【選択図】図16

請求項（抜粋）：

一般式RAMO4で表される単結晶体(一般式において、Rは、Sc、In、Y、およびランタノイド系元素からなる群から選択される一つまたは複数の三価の元素を表し、Aは、Fe(III)、Ga、およびAlからなる群から選択される一つまたは複数の三価の元素を表し、Mは、Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn、およびCdからなる群から選択される一つまたは複数の二価の元素を表す)からなるRAMO4基板であり、 少なくとも一方の面にエピタキシャル成長面を有し、 前記エピタキシャル成長面の100μm2の領域における表面粗さRaが、0.08nm以上0.5nm以下である、 RAMO4基板。

IPC (3件)：

C30B 29/22 ,  C30B 33/00 ,  C23C 16/34

FI (3件)：

C30B29/22 ,  C30B33/00 ,  C23C16/34

Fターム (32件)：

4G077AA02 ,  4G077AB02 ,  4G077AB10 ,  4G077BC60 ,  4G077CF10 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE10 ,  4G077FG14 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB05 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  4G077TK13 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB18 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AF07 ,  5F045BB04 ,  5F045DA53

引用特許：

出願人引用 (1件)

• GaN結晶基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-024377   出願人：住友電気工業株式会社

審査官引用 (1件)

• GaN結晶基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-024377   出願人：住友電気工業株式会社