特許

J-GLOBAL ID：201803015707687439

半導体装置の製造方法、基板処理装置、および記録媒体

発明者： 原田 勝吉 ,  ▲ひろせ▼ 義朗
出願人/特許権者： 株式会社KOKUSAI ELECTRIC
代理人 (2件)： 福岡 昌浩 ,  阿仁屋 節雄
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016058853
公開番号（公開出願番号）：WO2017-158848
出願日： 2016年03月18日
公開日（公表日）： 2017年09月21日
要約：

(a)基板に対して1分子中に所定元素と窒素との化学結合を少なくとも2つ含む原料を供給する工程と、(b)基板に対して酸化剤を供給する工程と、を非同時に行うサイクルを、原料に含まれる所定元素と窒素との化学結合のうち少なくとも一部が切断されることなく保持される条件下で、所定回数行うことで、基板上に、所定元素、窒素および酸素を含む膜を形成する。

請求項（抜粋）：

(a)基板に対して1分子中に所定元素と窒素との化学結合を少なくとも2つ含む原料を供給する工程と、 (b)前記基板に対して酸化剤を供給する工程と、 を非同時に行うサイクルを、前記原料に含まれる前記所定元素と窒素との化学結合の少なくとも一部が切断されることなく保持される条件下で、所定回数行うことで、前記基板上に、前記所定元素、窒素および酸素を含む膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/455

FI (4件)：

H01L21/318 C ,  H01L21/316 M ,  H01L21/31 B ,  C23C16/455

Fターム (74件)：

4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030AA24 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA01 ,  4K030EA03 ,  4K030EA11 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030GA06 ,  4K030HA01 ,  4K030JA01 ,  4K030JA05 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AB32 ,  5F045AB34 ,  5F045AB40 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045BB02 ,  5F045BB04 ,  5F045BB08 ,  5F045DC51 ,  5F045DC52 ,  5F045DC53 ,  5F045DC56 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EE19 ,  5F045EE20 ,  5F045EF03 ,  5F045EF09 ,  5F045EG02 ,  5F045EK06 ,  5F045EM10 ,  5F045GB05 ,  5F045GB06 ,  5F058BA06 ,  5F058BA09 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC11 ,  5F058BC20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD15 ,  5F058BD16 ,  5F058BF04 ,  5F058BF22 ,  5F058BF29