特許
J-GLOBAL ID：201803015796507201

光電変換素子、画像読取装置、画像形成装置及び画像読取方法

発明者：
中澤 政元

中澤 政元 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-019451
公開番号（公開出願番号）：特開2018-101995
出願日： 2018年02月06日
公開日（公表日）： 2018年06月28日
要約：
【課題】感度の低下を防止することができる光電変換素子、画像読取装置、画像形成装置及び画像読取方法を提供する。【解決手段】受光量に応じて画素毎に電荷を発生させる複数の受光素子と、前記複数の受光素子が発生させた電荷を、前記複数の受光素子から画素毎にそれぞれ導き出すように動作する複数の画素回路とを有し、前記複数の受光素子は、外部からの光を受光する受光領域に配列され、前記複数の画素回路は、外部からの光を受光しない非受光領域に設けられていることを特徴とする。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
受光量に応じて画素毎に電荷を発生させる複数の受光素子と、 前記複数の受光素子が発生させた電荷を、前記複数の受光素子から画素毎にそれぞれ導き出すように動作する複数の画素回路と を有し、 前記複数の受光素子は、 外部からの光を受光する受光領域に配列され、 前記複数の画素回路は、 外部からの光を受光しない非受光領域に設けられており、 前記受光素子が電荷を発生させる画素領域の副走査幅と、該発生させた電荷を導き出すように動作する前記画素回路を配置する非画素領域の副走査幅とを、略等しくしていること を特徴とする光電変換素子。
IPC (4件)：
H04N 1/028 ,  H04N 5/369 ,  H04N 5/374 ,  H01L 27/146
FI (4件)：
H04N1/028 C ,  H04N5/369 200 ,  H04N5/374 ,  H01L27/146 A
Fターム (33件)：
4M118AA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118FA08 ,  4M118FA33 ,  4M118GB03 ,  4M118GB06 ,  4M118GB07 ,  4M118GC08 ,  5C024CX41 ,  5C024EX01 ,  5C024EX52 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GX18 ,  5C024GY31 ,  5C051AA01 ,  5C051BA02 ,  5C051DA03 ,  5C051DB01 ,  5C051DB04 ,  5C051DB06 ,  5C051DB08 ,  5C051DB14 ,  5C051DC02 ,  5C051DE02 ,  5C051EA01 ,  5C051FA01
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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