特許

J-GLOBAL ID：201803015964247504

半導体装置、製造方法、および電子機器

発明者： 亀嶋 隆季
出願人/特許権者： ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
代理人 (2件)： 西川 孝 ,  稲本 義雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-205241
公開番号（公開出願番号）：特開2018-064758
出願日： 2016年10月19日
公開日（公表日）： 2018年04月26日
要約：

【課題】Cu Pumpingの発生を抑制することができる。【解決手段】複数の半導体部材を接合するための接合面としての役割を有するCu電極PADと、Cu電極PADと下層メタルとの接続部材である電極Viaとを備え、Cu電極PADは、電極Viaからずらした位置に形成される。本開示は、例えば、CMOSなどの積層型固体撮像装置に適用することができる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

複数の半導体部材を接合するための接合面としての役割を有するCu電極PADと、 前記Cu電極PADと下層メタルとの接続部材である電極Viaと を備え、 前記Cu電極PADは、前記電極Viaからずらした位置に形成される 半導体装置。

IPC (6件)：

A61B 1/04 ,  H01L 27/14 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H04N 5/369

FI (4件)：

A61B1/04 370 ,  H01L27/14 D ,  H01L21/88 T ,  H04N5/335 690

Fターム (50件)：

4C161AA24 ,  4C161CC06 ,  4C161DD01 ,  4C161JJ11 ,  4C161LL01 ,  4C161PP06 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118BA19 ,  4M118CA02 ,  4M118FA06 ,  4M118GB03 ,  4M118GB07 ,  4M118GB11 ,  4M118GB15 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118HA22 ,  4M118HA30 ,  4M118HA33 ,  5C024BX01 ,  5C024BX02 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GY31 ,  5C024HX01 ,  5F033HH08 ,  5F033HH19 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK11 ,  5F033MM02 ,  5F033MM17 ,  5F033NN01 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ48 ,  5F033TT01 ,  5F033TT08 ,  5F033UU04 ,  5F033VV00 ,  5F033VV01 ,  5F033WW00 ,  5F033XX01 ,  5F033XX12 ,  5F033XX32 ,  5F033XX34