特許
J-GLOBAL ID:201803016031262606

電極組立体及び蓄電装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  三上 敬史 ,  中山 浩光 ,  戸津 洋介
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2016082108
公開番号(公開出願番号):WO2017-110246
出願日: 2016年10月28日
公開日(公表日): 2017年06月29日
要約:
タブを含む電極を備える電極組立体は、集電体と、積層されたタブを有するタブ積層体と、を備える。タブ積層体が、タブ積層体の積層方向において集電体上に配置される。タブ積層体が、タブ積層体の積層方向に沿って延在するタブ積層体の第1の端面から内側に位置する溶接部を有する。タブ積層体の積層方向に直交する平面における溶接部の断面積が、タブ積層体の厚みにわたって、集電体に近づくに連れて単調増加している。タブ積層体の積層方向を含みタブ積層体の第1の端面に直交するタブ積層体の断面において、溶接部の外面が、集電体に近づくに連れて外側に向かうようにタブ積層体の積層方向に対して傾斜している。
請求項(抜粋):
タブを含む電極を備える電極組立体であって、 集電体と、 積層された前記タブを有するタブ積層体と、 を備え、 前記タブ積層体が、前記タブ積層体の積層方向において前記集電体上に配置され、 前記タブ積層体が、前記タブ積層体の積層方向に沿って延在する前記タブ積層体の第1の端面から内側に位置する溶接部を有し、 前記タブ積層体の積層方向に直交する平面における前記溶接部の断面積が、前記タブ積層体の厚みにわたって、前記集電体に近づくに連れて単調増加しており、 前記タブ積層体の積層方向を含み前記タブ積層体の第1の端面に直交する前記タブ積層体の断面において、前記溶接部の外面が、前記集電体に近づくに連れて外側に向かうように前記タブ積層体の積層方向に対して傾斜している、電極組立体。
IPC (3件):
H01M 2/26 ,  H01G 11/72 ,  H01G 11/76
FI (3件):
H01M2/26 A ,  H01G11/72 ,  H01G11/76
Fターム (25件):
5E078AA15 ,  5E078FA21 ,  5E078KA02 ,  5H043AA19 ,  5H043BA11 ,  5H043BA19 ,  5H043CA04 ,  5H043CA13 ,  5H043EA02 ,  5H043EA07 ,  5H043EA32 ,  5H043EA35 ,  5H043EA36 ,  5H043EA39 ,  5H043EA60 ,  5H043HA06E ,  5H043HA17E ,  5H043JA09E ,  5H043JA12E ,  5H043JA13E ,  5H043JA21E ,  5H043LA02E ,  5H043LA11E ,  5H043LA21E ,  5H043LA22E

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