特許
J-GLOBAL ID：201803016179746408
半導体装置の製造方法および半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
舘野 千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-222202
公開番号（公開出願番号）：特開2018-081984
出願日： 2016年11月15日
公開日（公表日）： 2018年05月24日
要約：
【課題】サポート基板と貼り合わせる半導体基板において、アライメント精度を向上させる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】ワークウェハ10(第1の基板)とサポート基板20(第2の基板)とを接合させて半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、ワークウェハ10の接合面から、接合面と対向する対向面の方向に溝16を形成する溝形成工程と、ワークウェハ10の接合面とサポート基板20の接合面とを樹脂を介して接合する接合工程と、樹脂を溝16に充填する充填工程と、ワークウェハ10の対向面に、溝16に充填した樹脂をアライメントマーク部17として露出させる工程と、を備える。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
第1の基板と第2の基板とを接合させて半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、
前記第1の基板の接合面から、前記接合面と対向する対向面の方向に溝を形成する溝形成工程と、
前記第1の基板の接合面と前記第2の基板の接合面とを樹脂を介して接合する接合工程と、
前記樹脂を前記溝に充填する充填工程と、
前記第1の基板の対向面に、前記溝に充填した樹脂を露出させる工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (12件)：
3C081AA01
, 3C081AA17
, 3C081BA32
, 3C081CA05
, 3C081CA13
, 3C081CA20
, 3C081CA31
, 3C081CA32
, 3C081DA03
, 3C081DA06
, 3C081DA42
, 3C081EA35
