特許
J-GLOBAL ID：201803016314610155
基板処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-185435
公開番号（公開出願番号）：特開2018-049979
出願日： 2016年09月23日
公開日（公表日）： 2018年03月29日
要約：
【課題】誘導自己組織化技術を用いて欠陥の少ないパターンを形成することができる基板処理方法を提供する。【解決手段】誘導自己組織化材料からなる処理膜が形成された基板Wが予備加熱機構22を内蔵する保持プレート21上に載置されて予備加熱される。基板Wの周辺は低酸素雰囲気とされる。予備加熱温度は、2種類の重合体によって構成される誘導自己組織化材料が相分離する温度である。処理膜が予備加熱されることによって2種類の重合体が相分離して微細なパターンが形成される。また、処理膜を予備加熱しつつ、当該処理膜にフラッシュランプFLからフラッシュ光を照射することにより、処理膜を構成する重合体の流動性が高まって欠陥の発生を抑制しつつ微細なパターンを形成することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上にパターンを形成する基板処理方法であって、
基板上に誘導自己組織化材料からなる処理膜を形成する成膜工程と、
前記処理膜にフラッシュランプからフラッシュ光を照射するフラッシュ照射工程と、
を備えることを特徴とする基板処理方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (1件)：
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