特許

J-GLOBAL ID：201803016411728969

III族窒化物半導体成長用テンプレート

発明者： 笘井 重和
出願人/特許権者： 出光興産株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人平和国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-067564
公開番号（公開出願番号）：特開2018-168029
出願日： 2017年03月30日
公開日（公表日）： 2018年11月01日
要約：

【課題】結晶転位密度が少ないIII族窒化物半導体を成長させることができるIII族窒化物半導体成長用テンプレートを提供する。【解決手段】支持基板と、複数の開口部を有するマスクパターンである絶縁膜とをこの順に含む積層体からなるIII族窒化物半導体成長用テンプレートであって、前記絶縁膜がGa2O3を主成分として含むIII族窒化物半導体成長用テンプレート。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

支持基板と、複数の開口部を有するマスクパターンである絶縁膜とをこの順に含む積層体からなるIII族窒化物半導体成長用テンプレートであって、 前記絶縁膜がGa2O3を主成分として含むIII族窒化物半導体成長用テンプレート。

IPC (2件)：

C30B 29/38 ,  H01L 29/786

FI (3件)：

C30B29/38 D ,  C30B29/38 C ,  H01L29/78 618B

Fターム (27件)：

4G077AA03 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077EF02 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TC14 ,  4G077TK01 ,  4G077TK08 ,  5F110AA30 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD17 ,  5F110GG01 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44