半導体装置およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：矢作和行 , 野々部泰平 , 久保貴則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-131707
公開番号（公開出願番号）：特開2018-004446
出願日： 2016年07月01日
公開日（公表日）： 2018年01月11日
要約：

【課題】キャビティ内に物理量に応じたセンサ信号を出力するセンシング部が備えられた半導体装置において、高温高圧下においてもアロイスパイクを抑制できる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】この半導体装置は、支持基板と、支持基板に接合されるキャップ基板と、支持基板に接合された支持側パッドと、キャップ基板に接合され、対向する支持側パッドと接合されて接合体を形成するキャップ側パッドと、を備える。支持基板とキャップ基板との間に気密性のキャビティが形成され、キャビティ内にセンシング部が配置される。接合体は、その形成位置によって、フレーム領域および導通領域の2つの接続領域を少なくとも含む。接合体は、支持基板との間に支持側緩衝層を介して接合されるとともに、キャップ基板との間にキャップ側緩衝層を介して接合される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体を主成分とする層を含み、第1面(10a)を有する支持基板(10)と、半導体を主成分とする層を含み、第2面(40a)を有し、前記第2面が前記第1面に対向する状態で前記支持基板に接合されるキャップ基板(40)と、金属より成り、前記支持基板における前記第1面に接合された支持側パッド(31a〜36a)と、金属より成り、前記キャップ基板における前記第2面に接合され、対向する前記支持側パッドと接合されて接合体(31〜36)を形成するキャップ側パッド(31b〜36b)と、を備え、前記支持基板と前記キャップ基板との間に気密性のキャビティ(80)が形成され、前記キャビティ内に物理量に応じたセンサ信号を出力するセンシング部が配置された半導体装置であって、前記接合体は、その形成位置によって、前記支持基板と前記キャップ基板との接合の機械的強度を担うフレーム領域(A)と、層間の電気的接続を担う導通領域(B,C,D)と、の2つの接続領域を少なくとも含み、前記接合体は、前記支持基板との間に絶縁膜(92i,93i,96i)もしくはバリアメタル膜(92b,93b,96b)もしくはその両方を含む支持側緩衝層(92,93,96)を介して接合されるとともに、前記キャップ基板との間に絶縁膜(42)もしくはバリアメタル膜(42b)もしくはその両方を含むキャップ側緩衝層を介して接合される、半導体装置。

IPC (4件)：

G01P 15/08 , H01L 29/84 , B81C 3/00 , B81B 3/00

FI (5件)：

G01P15/08 102A , G01P15/08 101B , H01L29/84 Z , B81C3/00 , B81B3/00

Fターム (44件)：

3C081AA18 , 3C081BA22 , 3C081BA30 , 3C081BA32 , 3C081BA44 , 3C081BA47 , 3C081CA05 , 3C081CA14 , 3C081CA15 , 3C081CA19 , 3C081CA20 , 3C081CA26 , 3C081CA27 , 3C081CA28 , 3C081CA29 , 3C081CA32 , 3C081DA03 , 3C081DA22 , 3C081DA27 , 3C081DA29 , 3C081DA30 , 3C081EA02 , 4M112AA02 , 4M112BA07 , 4M112CA21 , 4M112CA23 , 4M112CA31 , 4M112CA33 , 4M112CA34 , 4M112DA03 , 4M112DA04 , 4M112DA06 , 4M112DA11 , 4M112DA13 , 4M112DA14 , 4M112DA15 , 4M112DA16 , 4M112DA18 , 4M112EA03 , 4M112EA06 , 4M112EA07 , 4M112EA11 , 4M112EA12 , 4M112FA20

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