特許
J-GLOBAL ID：201803016812674209

カルボン酸塩、カルボン酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法

発明者：
増山 達郎

増山 達郎 について

, 
向井 優一

向井 優一 について

, 
市川 幸司

市川 幸司 について


出願人/特許権者：
住友化学株式会社

住友化学株式会社 について


代理人 (1件)： 新樹グローバル・アイピー特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-006592
公開番号（公開出願番号）：特開2018-123121
出願日： 2018年01月18日
公開日（公表日）： 2018年08月09日
要約：
【課題】良好なマスクエラーファクターを有するレジストパターンを製造できる塩及びレジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】式(I)で表されるカルボン酸塩及びこれを含む酸発生剤ならびに該酸発生剤を含むレジスト組成物。[式中、Xa及びXbは、それぞれ独立に、酸素原子又は硫黄原子を表す。X1は、置換基を有してもよい炭化水素基を表す。L1及びL2は、それぞれ独立に、単結合又は置換基を有してもよい炭化水素基を表す。R1及びR2は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい脂環式炭化水素基を表す。前記炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-、-S-、-CO-又は-S(O)2-に置き換わっていてもよい。Z1+は、有機カチオンを表す。]【選択図】なし
請求項（抜粋）：
式(I)で表されるカルボン酸塩。
IPC (8件)：
C07C 62/14 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/038 ,  C07C 62/10 ,  C07C 381/12 ,  C09K 3/00 ,  G03F 7/20
FI (9件)：
C07C62/14 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/038 601 ,  C07C62/10 ,  C07C381/12 ,  C09K3/00 K ,  G03F7/20 521
Fターム (40件)：
2H197AA12 ,  2H197CA06 ,  2H197CA08 ,  2H197CE01 ,  2H197CE10 ,  2H197HA03 ,  2H225AF11P ,  2H225AF16P ,  2H225AF22P ,  2H225AF24P ,  2H225AF25P ,  2H225AF53P ,  2H225AF67P ,  2H225AF71P ,  2H225AF92P ,  2H225AF99P ,  2H225AH17 ,  2H225AH19 ,  2H225AJ13 ,  2H225AJ55 ,  2H225AJ58 ,  2H225AM23P ,  2H225AM27P ,  2H225AN38P ,  2H225AN39P ,  2H225AN45P ,  2H225AN54P ,  2H225BA02P ,  2H225BA26P ,  2H225BA29P ,  2H225CA12 ,  2H225CB10 ,  2H225CC01 ,  2H225CC15 ,  2H225CD05 ,  4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB81 ,  4H006BJ30 ,  4H006BP90
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM