特許

J-GLOBAL ID：201803017008351991

化学気相含浸装置

発明者： 渡辺 健一郎 ,  石崎 雅人 ,  大越 直博
出願人/特許権者： 株式会社IHI
代理人 (3件)： 寺本 光生 ,  志賀 正武 ,  高橋 久典
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-160558
公開番号（公開出願番号）：特開2018-028133
出願日： 2016年08月18日
公開日（公表日）： 2018年02月22日
要約：

【課題】化学気相含浸装置において、ワークの搬入出を容易としかつマトリックスの膜厚を均一化する。【解決手段】化学気相含浸法によりワークの表面に対してマトリックスを含浸形成する化学気相含浸装置であって、水平方向に向けてワークの搬入出開口が形成された反応炉と、反応炉の内部に対して、第1方向と、当該第1方向と交差する方向である第2方向とから原料ガスを供給可能な原料ガス供給ユニットとを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

化学気相含浸法によりワークの表面に対してマトリックスを含浸形成する化学気相含浸装置であって、 水平方向に向けて前記ワークの搬入出開口が形成された反応炉と、 前記反応炉の内部に対して、第1方向と、当該第1方向と交差する方向である第2方向とから原料ガスを供給可能な原料ガス供給ユニットと を備えることを特徴とする化学気相含浸装置。

IPC (1件)：

C23C 16/455

FI (1件)：

C23C16/455

Fターム (4件)：

4K030CA08 ,  4K030EA06 ,  4K030EA11 ,  4K030FA10