特許

J-GLOBAL ID：201803017269005560

ダイ、ダイパック、単結晶育成装置、及び単結晶育成方法

発明者： 樋口 数人 ,  古滝 敏郎 ,  斎藤 弘倫 ,  高橋 正幸 ,  佐藤 次男 ,  矢口 洋一
出願人/特許権者： アダマンド並木精密宝石株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-204031
公開番号（公開出願番号）：特開2018-065709
出願日： 2016年10月18日
公開日（公表日）： 2018年04月26日
要約：

【課題】育成される単結晶の厚みに対して開口角度が容易且つ最適に設定可能なダイ、ダイパック、単結晶育成装置、単結晶育成方法を提供する。【解決手段】スリットを有しEFG法に用いられるダイの先端を、開口角度y1(但しy1<180°)で形成する。更に開口角度y1を、ダイの厚みxmmの一次関数式y=ax+b(但し、y<180°、x>0mm、a>0、b>0°)で関連付けられた角度で形成する。bは47.0°以上47.39°以下とし、厚みxは3.3mm以上6.5mm以下、aは7.75以上7.80以下とする。また開口角度y1を、一次関数式yの±5%内の角度とする。このようなダイを2つ以上備え、各々のスリットの長手方向が平行に配置してダイパックを構成する。更に、前記ダイ又はダイパックを備えて単結晶育成装置を形成すると共に、前記ダイやダイパック又は単結晶育成装置を用いて単結晶育成方法を形成する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

スリットを有しEFG法に用いられるダイであって、 ダイの先端が開口角度y1(但しy1<180°)で形成されており、 更に開口角度y1が、ダイの厚みxmmの一次関数式y=ax+b(但し、y<180°、x>0mm、a>0、b>0°)で関連付けられた角度で形成されていることを特徴とするダイ。

IPC (2件)：

C30B 15/24 ,  C30B 29/20

FI (2件)：

C30B15/24 ,  C30B29/20

Fターム (7件)：

4G077AA02 ,  4G077BB01 ,  4G077CF03 ,  4G077EG01 ,  4G077EG25 ,  4G077PK05 ,  4G077PK08

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 複数のサファイア単結晶とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2016-004862   出願人：並木精密宝石株式会社

審査官引用 (1件)

• 複数のサファイア単結晶とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2016-004862   出願人：並木精密宝石株式会社