特許
J-GLOBAL ID：201803017405592059

強化構造を有するリードフレームを含むオプトエレクトロニクス部品

発明者：
リヒター ダニエル

リヒター ダニエル について


出願人/特許権者：
オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング

オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング について


代理人 (1件)： 鷲田 公一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-515277
公開番号（公開出願番号）：特表2018-530918
出願日： 2016年10月05日
公開日（公表日）： 2018年10月18日
要約：
【課題】改良したオプトエレクトロニクス部品および改良したオプトエレクトロニクス部品を製造する方法を提供する。【解決手段】オプトエレクトロニクス半導体チップを少なくとも1つ備えるオプトエレクトロニクス部品に関し、リードフレーム領域(9)の上面にオプトエレクトロニクス半導体チップが少なくとも1つ配置されており、リードフレーム領域(9)は、リードフレーム領域(9)から側方に突出している強化構造を含んでおり、リードフレーム領域(9)と、強化構造と、オプトエレクトロニクス半導体チップの少なくとも1つとは、電気絶縁性筐体に埋め込まれている。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
オプトエレクトロニクス半導体チップ(18、19、20)を少なくとも1つ備え、前記半導体チップ(18、19、20)は、リードフレーム領域(9)に配置されており、前記リードフレーム領域(9)は、前記リードフレーム領域(9)から側方に突出している強化構造(5)を含んでおり、前記リードフレーム領域(9)と、前記強化構造(5)と、前記半導体チップ(18、19、20)とは、電気絶縁性筐体(28)に埋め込まれている、オプトエレクトロニクス部品。
IPC (3件)：
H01L 33/62 ,  H01L 33/54 ,  H01L 31/02
FI (3件)：
H01L33/62 ,  H01L33/54 ,  H01L31/02 B
Fターム (26件)：
5F142AA56 ,  5F142BA02 ,  5F142BA24 ,  5F142CA11 ,  5F142CB14 ,  5F142CB16 ,  5F142CB23 ,  5F142CC14 ,  5F142CC16 ,  5F142CC26 ,  5F142CG03 ,  5F142CG04 ,  5F142CG05 ,  5F142CG32 ,  5F142DB24 ,  5F142FA01 ,  5F142FA16 ,  5F142FA18 ,  5F142FA30 ,  5F142GA02 ,  5F849AA01 ,  5F849BA26 ,  5F849EA14 ,  5F849JA02 ,  5F849JA06 ,  5F849XB02
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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