特許

J-GLOBAL ID：201803017675732618

基板処理方法および基板処理装置

発明者： 中井 仁司
出願人/特許権者： 株式会社SCREENホールディングス
代理人 (3件)： 松阪 正弘 ,  田中 勉 ,  井田 正道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-125628
公開番号（公開出願番号）：特開2017-228728
出願日： 2016年06月24日
公開日（公表日）： 2017年12月28日
要約：

【課題】内側領域上の塗布膜が基板上の周縁領域に拡がることを抑制する。【解決手段】基板処理装置における基板9の処理では、まず、基板9の上面91に充填剤溶液が供給される。これにより、充填剤溶液の膜である塗布膜が基板9の上面91上に形成され、基板9の上面91上の構造体における隙間が充填剤溶液で満たされる。そして、塗布膜の形成よりも後に、中心軸J1を中心として基板9を回転させた状態で、基板9の上面91の周縁領域93に剥離液が付与されることにより、塗布膜のうち周縁領域93上の部位が、基板9から剥離する。また、塗布膜の形成よりも後に、基板9の上面91の周縁領域93と内側領域94との境界部に向けてガスが噴射されることにより、内側領域94上の塗布膜の外縁部の固化が促進される。これにより、内側領域94上の塗布膜が周縁領域93上に拡がることを抑制することができる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板を処理する基板処理方法であって、 a)上面に構造体が形成された基板を水平状態で保持する工程と、 b)前記基板の前記上面に処理液を供給して前記処理液の膜である塗布膜を前記上面上に形成し、前記構造体における隙間を前記処理液で満たす工程と、 c)前記b)工程よりも後に、上下方向を向く中心軸を中心として前記基板を回転させた状態で、前記基板の前記上面の周縁領域に剥離液を付与することにより、前記塗布膜のうち前記周縁領域上の部位を前記基板から剥離させる工程と、 d)前記b)工程よりも後に、前記基板の前記上面の前記周縁領域と前記周縁領域の内側の内側領域との境界部に向けてガスを噴射することにより、前記内側領域上の塗布膜の外縁部の固化を促進する工程と、 を備えることを特徴とする基板処理方法。

IPC (7件)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/306 ,  B05D 1/40 ,  B05D 3/04 ,  B05D 3/10 ,  B05D 3/12

FI (8件)：

H01L21/30 570 ,  H01L21/304 643A ,  H01L21/304 648G ,  H01L21/306 R ,  B05D1/40 A ,  B05D3/04 Z ,  B05D3/10 N ,  B05D3/12 E

Fターム (47件)：

4D075AC64 ,  4D075AC88 ,  4D075BB20Z ,  4D075BB57Z ,  4D075CA47 ,  4D075CA48 ,  4D075DA06 ,  4D075DB14 ,  4D075DC22 ,  4D075EA45 ,  4D075EC30 ,  4F042AA07 ,  4F042BA08 ,  4F042CC12 ,  4F042EB05 ,  4F042EB09 ,  4F042EB13 ,  4F042EB18 ,  4F042EB28 ,  5F043CC09 ,  5F043CC16 ,  5F043DD13 ,  5F146LA01 ,  5F146LA18 ,  5F146LA19 ,  5F157AA09 ,  5F157AA12 ,  5F157AA76 ,  5F157AB02 ,  5F157AB16 ,  5F157AB33 ,  5F157AB90 ,  5F157AC01 ,  5F157AC26 ,  5F157BB23 ,  5F157BB24 ,  5F157BB44 ,  5F157BC64 ,  5F157BH18 ,  5F157CA04 ,  5F157CB03 ,  5F157CB13 ,  5F157CE08 ,  5F157CE25 ,  5F157CF34 ,  5F157DB18 ,  5F157DB38