特許
J-GLOBAL ID：201803017837850440

配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法

発明者：
清水 規良

清水 規良 について

, 
小山 利徳

小山 利徳 について

, 
六川 昭雄

六川 昭雄 について


出願人/特許権者：
新光電気工業株式会社

新光電気工業株式会社 について


代理人 (2件)： 恩田 誠 ,  恩田 博宣
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-138202
公開番号（公開出願番号）：特開2015-012237
特許番号：特許第6247032号
出願日： 2013年07月01日
公開日（公表日）： 2015年01月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1配線層と、 前記第1配線層を被覆する第1絶縁層と、 前記第1絶縁層の表面に開口し、前記第1配線層の表面を露出する第1貫通孔と、 前記第1貫通孔を充填するとともに、前記第1絶縁層の表面に露出する端面を有し、前記端面に前記第1絶縁層の表面よりも前記第1配線層側に凹む凹部を有する第1ビアと、 前記第1絶縁層の表面と前記第1ビアの端面上に積層され、前記凹部を充填するとともに、前記第1ビアの端面よりも平坦な表面を有する第2配線層と、 前記第2配線層を被覆する第2絶縁層と、 前記第2絶縁層の表面に開口し、前記第2配線層の表面を露出する第2貫通孔と、 前記第2貫通孔を充填するとともに、前記第1ビアよりも小径であり、前記第2配線層を介して前記第1ビア上に積み重ねられた第2ビアと、を有し、 前記第1絶縁層の表面は、前記第1貫通孔の内面よりも表面粗度が低いことを特徴とする配線基板。
IPC (2件)：
H05K 3/46 ( 200 6.01) ,  H01L 23/12 ( 200 6.01)
FI (4件)：
H05K 3/46 B ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 Q ,  H01L 23/12 N
引用特許：
審査官引用 (5件)
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