半導体装置の作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-002319
公開番号（公開出願番号）：特開2018-113446
出願日： 2018年01月11日
公開日（公表日）： 2018年07月19日
要約：

【課題】低コストで量産性の高い剥離方法、または剥離工程を有するデバイスの作製方法を提供する。【解決手段】作製基板上にシリコン層を形成する工程、シリコン層上に樹脂層を形成する工程、樹脂層上にトランジスタを形成する工程、シリコン層上及び樹脂層上に、導電層を形成する工程、及び、作製基板とトランジスタとを分離する工程を有する、半導体装置の作製方法である。樹脂層は、シリコン層上に開口を有する。導電層は、樹脂層の開口を介してシリコン層と接する。作製基板とトランジスタとを分離する工程では、シリコン層に光が照射されることにより、シリコン層に含まれるシリコンと、導電層に含まれる金属とが反応し、金属シリサイド層が形成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

作製基板上に、シリコン層を形成する工程、前記シリコン層上に、樹脂層を形成する工程、前記樹脂層上に、トランジスタを形成する工程、前記シリコン層上及び前記樹脂層上に、導電層を形成する工程、及び、前記作製基板と前記トランジスタとを分離する工程を有し、前記樹脂層は、前記シリコン層上に開口を有し、前記導電層は、前記樹脂層の開口を介して前記シリコン層と接し、前記分離する工程では、前記シリコン層に光が照射されることにより、前記シリコン層に含まれるシリコンと、前記導電層に含まれる金属とが反応し、金属シリサイド層が形成される、半導体装置の作製方法。

IPC (5件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H05B 33/10 , H01L 51/50 , G09F 9/00

FI (6件)：

H01L29/78 626C , H01L29/78 618B , H01L29/78 616V , H05B33/10 , H05B33/14 A , G09F9/00 338

Fターム (73件)：

3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC21 , 3K107CC43 , 3K107CC45 , 3K107EE04 , 3K107FF13 , 3K107FF15 , 3K107GG28 , 3K107HH05 , 5F110AA16 , 5F110AA17 , 5F110AA28 , 5F110BB01 , 5F110BB02 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE30 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG06 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110NN03 , 5F110NN05 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN40 , 5F110QQ08 , 5F110QQ16 , 5G435AA17 , 5G435BB05 , 5G435EE12 , 5G435HH12 , 5G435HH13 , 5G435HH14 , 5G435HH20 , 5G435KK05 , 5G435LL04 , 5G435LL07

引用特許：

出願人引用 (6件)

発光装置及び電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-284309 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
薄膜回路装置及びその製造方法、並びに電気光学装置、電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-145468 出願人：セイコーエプソン株式会社
薄膜素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-051538 出願人：カシオ計算機株式会社

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