特許
J-GLOBAL ID：201803018283938923

マスクブランク、転写用マスク及び半導体デバイスの製造方法

発明者：
宍戸 博明

宍戸 博明 について


出願人/特許権者：
HOYA株式会社

HOYA株式会社 について


代理人 (3件)： 永田 豊 ,  大島 孝文 ,  太田 司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-024781
公開番号（公開出願番号）：特開2018-109775
出願日： 2018年02月15日
公開日（公表日）： 2018年07月12日
要約：
【課題】遮光膜パターンが高いArF耐光性を有し、且つ、波長が800nm以上900nm以下の長波長光を用いてマーク検出を行う際の検出感度を有するマスクブランクを提供する。【解決手段】透光性基板1上に、遮光膜2を備えたマスクブランク100であって、遮光膜は、ケイ素と窒素を含有する材料で形成された単層膜であり、ArFエキシマレーザーの露光光に対する屈折率nが1.6以上2.1以下であり、露光光に対する消衰係数kが1.6以上2.1以下であり、900nmの波長の光に対する消衰係数kが0.04以上であり、厚さが40nm以上60nm以下である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
透光性基板上に、遮光膜を備えたマスクブランクであって、 前記遮光膜は、ケイ素と窒素を含有する材料で形成された単層膜であり、 前記遮光膜は、ArFエキシマレーザーの露光光に対する屈折率nが1.6以上2.1以下であり、 前記遮光膜は、前記露光光に対する消衰係数kが1.6以上2.1以下であり、 前記遮光膜は、900nmの波長の光に対する消衰係数kが0.04以上であり、 前記遮光膜は、厚さが40nm以上60nm以下である ことを特徴とするマスクブランク。
IPC (5件)：
G03F 1/58 ,  G03F 1/50 ,  G03F 1/30 ,  G03F 1/34 ,  G03F 7/20
FI (6件)：
G03F1/58 ,  G03F1/50 ,  G03F1/30 ,  G03F1/34 ,  G03F7/20 521 ,  G03F7/20 502
Fターム (17件)：
2H195BA07 ,  2H195BB03 ,  2H195BB14 ,  2H195BB25 ,  2H195BB35 ,  2H195BC05 ,  2H195BC08 ,  2H195BC11 ,  2H195BC24 ,  2H195BE03 ,  2H195BE04 ,  2H197BA11 ,  2H197CA06 ,  2H197CA08 ,  2H197EA15 ,  2H197EB22 ,  2H197HA03
引用特許：
出願人引用 (7件)
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