特許
J-GLOBAL ID：201803018304874513
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
矢作 和行
, 野々部 泰平
, 久保 貴則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-131709
公開番号（公開出願番号）：特開2018-006577
出願日： 2016年07月01日
公開日（公表日）： 2018年01月11日
要約：
【課題】2つの基板の離間距離の変動が抑制され、電気的および機械的な接続不良の発生の抑制された半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】環状の第1金属端子(11)が第1面(10a)に形成されたキャップ基板(10)、および、環状の第2金属端子(51)が第2面(50a)に形成された半導体基板(50)を準備し、第1面と第2面とが対向するようにキャップ基板と半導体基板とを対向配置し、キャップ基板と半導体基板それぞれを熱しつつ、キャップ基板と半導体基板とを互いに近づけることで、第1金属端子と第2金属端子とを金属接合する半導体装置の製造方法であって、第1面および第2面の少なくとも一方には高さが一定の二重環状を成すスペーサ(56)が形成されており、キャップ基板と半導体基板との離間距離がスペーサの高さと成るように、キャップ基板と半導体基板とを互いに近づける。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
環状の第1金属端子(11)が第1面(10a)に形成されたキャップ基板(10)、および、環状の第2金属端子(51)が第2面(50a)に形成された半導体基板(50)を準備し、
前記第1面と前記第2面とが対向するように前記キャップ基板と前記半導体基板とを対向配置し、
前記キャップ基板と前記半導体基板それぞれを熱しつつ、前記キャップ基板と前記半導体基板とを互いに近づけることで、前記第1金属端子と前記第2金属端子とを接触させ、前記第1金属端子と前記第2金属端子とを金属接合する半導体装置の製造方法であって、
前記第1面および前記第2面の少なくとも一方には、前記第1金属端子と前記第2金属端子の金属接合時において前記第1金属端子と前記第2金属端子それぞれの周囲を内側と外側から囲む高さが一定の二重環状を成すスペーサ(56)が形成されており、
前記キャップ基板と前記半導体基板との離間距離が前記スペーサの高さと成るように、前記キャップ基板と前記半導体基板とを互いに近づけて前記第1金属端子と前記第2金属端子とを金属接合する半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 23/02
, H01L 23/10
, B81C 3/00
, G01P 15/125
, G01P 15/08
H01L23/02 C
, H01L23/02 J
, H01L23/10 B
, B81C3/00
, G01P15/125 Z
, G01P15/08 101A
, G01P15/08 102A
3C081AA18
, 3C081BA30
, 3C081BA42
, 3C081CA05
, 3C081CA13
, 3C081CA32
, 3C081DA04
, 3C081DA22
, 3C081DA26
, 3C081DA27
, 3C081DA29
, 3C081DA30
, 3C081EA02
, 3C081EA21
