特許
J-GLOBAL ID：201803018560248379

表示装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-017951
公開番号（公開出願番号）：特開2018-082216
出願日： 2018年02月05日
公開日（公表日）： 2018年05月24日
要約：
【課題】しきい値制御された、信頼性の高い薄膜トランジスタを有する表示装置を作製する方法を提案することを課題とする。【解決手段】ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に微結晶半導体膜を成膜し、微結晶半導体膜にしきい値制御のための不純物元素をイオン注入法により添加し、その後、レーザビームを照射して微結晶半導体膜の結晶性を改善する。そして、微結晶半導体膜上にバッファ層を形成し、チャネルエッチ型の薄膜トランジスタを形成する。また当該薄膜トランジスタを有する表示装置を作製する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の導電膜と、 ゲート絶縁膜を介して前記第1の導電膜と重なる領域を有する半導体膜と、 前記半導体膜上方の第2の導電膜と、 前記半導体膜上方の第3の導電膜と、 前記半導体膜上方、前記第2の導電膜上方、及び前記第3の導電膜上方の絶縁膜と、 前記絶縁膜上方の画素電極と、を画素に有し、 前記半導体膜は、前記第1の導電膜と重なる領域においてチャネル形成領域を有し、 前記第2の導電膜は、前記半導体膜と電気的に接続され、 前記第3の導電膜は、前記半導体膜と電気的に接続され、 前記画素電極は、前記絶縁膜の開口部を介して前記第3の導電膜と電気的に接続され、 前記第2の導電膜は、第1の領域と、第2の領域と、を有し、 前記第2の導電膜は、前記第1の領域において前記第1の導電膜と重なっており、 前記第2の導電膜は、前記第1の領域において前記半導体膜と重なっており、 前記第2の導電膜は、前記第2の領域において前記第1の導電膜と重なっておらず、 前記第2の導電膜は、前記第2の領域において前記半導体膜と重なっており、 前記開口部は、前記第1の導電膜と重なる領域に位置する表示装置。
IPC (8件)：
H01L 29/786 ,  G09F 9/30 ,  G02F 1/136 ,  G02F 1/134 ,  H01L 27/32 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/22
FI (8件)：
H01L29/78 616T ,  G09F9/30 338 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1343 ,  H01L27/32 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z ,  H05B33/22 Z
Fターム (149件)：
2H092GA14 ,  2H092GA48 ,  2H092GA50 ,  2H092GA60 ,  2H092JA26 ,  2H092JA29 ,  2H092JA42 ,  2H092JA46 ,  2H092JB05 ,  2H092JB16 ,  2H092JB57 ,  2H092JB69 ,  2H092KA04 ,  2H092MA14 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092NA21 ,  2H092QA09 ,  2H192AA24 ,  2H192BA25 ,  2H192BB13 ,  2H192BB53 ,  2H192BB73 ,  2H192BC12 ,  2H192BC24 ,  2H192BC26 ,  2H192BC31 ,  2H192CB05 ,  2H192CB34 ,  2H192CB52 ,  2H192CB53 ,  2H192CB54 ,  2H192CC05 ,  2H192CC22 ,  2H192CC42 ,  2H192DA12 ,  2H192EA74 ,  2H192FB03 ,  2H192FB27 ,  2H192HA44 ,  2H192HA82 ,  2H192JA13 ,  2H192JA33 ,  3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107CC14 ,  3K107CC33 ,  3K107DD90 ,  3K107EE04 ,  5C094AA22 ,  5C094AA25 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA07 ,  5C094FB02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094HA05 ,  5C094HA06 ,  5C094HA08 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA08 ,  5F110AA13 ,  5F110BB02 ,  5F110BB03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE12 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF06 ,  5F110FF09 ,  5F110FF10 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG52 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK09 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL09 ,  5F110HL23 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12 ,  5F110NN02 ,  5F110NN24 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP27 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ23
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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