特許

J-GLOBAL ID：201803018791500909

パターン化されたコーティングを含む表面およびデバイス上のコーティングをパターン化する方法

発明者： チャン, イー-ルー ,  ワン, チー ,  ヘランダー, マイケル ,  チウ, ジャッキー ,  ワン, ジビン ,  レバー, トーマス
出願人/特許権者： オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッド
代理人 (5件)： 山本 秀策 ,  森下 夏樹 ,  飯田 貴敏 ,  石川 大輔 ,  山本 健策
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-521242
公開番号（公開出願番号）：特表2018-533183
出願日： 2016年10月26日
公開日（公表日）： 2018年11月08日
要約：

光電子デバイスは、(1)基板と、(2)基板の第1の領域を被覆する核形成阻害コーティングと、(3)第1の部分および第2の部分を含む伝導性コーティングとを含む。伝導性コーティングの第1の部分は、基板の第2の領域を被覆し、伝導性コーティングの第2の部分は、核形成阻害コーティングと部分的に重複し、伝導性コーティングの第2の部分は、間隙によって核形成阻害コーティングから離間される。本願はまた、表面上に導電性材料を堆積させるための方法を提供し、この方法は、デバイスの導電性構造を形成するための表面上の導電性材料を選択的堆積し得る。

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板の第1の領域を被覆する、核形成阻害コーティングと、 第1の部分および第2の部分を含む、伝導性コーティングであって、前記伝導性コーティングの第1の部分は、前記基板の第2の領域を被覆し、前記伝導性コーティングの第2の部分は、前記核形成阻害コーティングと部分的に重複する、伝導性コーティングと、 を備え、前記伝導性コーティングの第2の部分は、間隙によって前記核形成阻害コーティングから離間される、 光電子デバイス。

IPC (11件)：

H05B 33/22 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/28 ,  H05B 33/26 ,  H05B 33/12 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/02 ,  C23C 14/04 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/12 ,  C23C 14/14

FI (14件)：

H05B33/22 Z ,  H05B33/14 A ,  H05B33/28 ,  H05B33/22 B ,  H05B33/22 D ,  H05B33/26 Z ,  H05B33/12 B ,  H05B33/10 ,  H05B33/02 ,  C23C14/04 A ,  C23C14/06 N ,  C23C14/12 ,  C23C14/14 D ,  C23C14/06 F

Fターム (53件)：

3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107BB02 ,  3K107CC12 ,  3K107CC33 ,  3K107CC45 ,  3K107DD02 ,  3K107DD03 ,  3K107DD04 ,  3K107DD14 ,  3K107DD18 ,  3K107DD22 ,  3K107DD24 ,  3K107DD27 ,  3K107DD29 ,  3K107DD37 ,  3K107DD42X ,  3K107DD42Y ,  3K107DD42Z ,  3K107DD44X ,  3K107DD44Y ,  3K107DD44Z ,  3K107DD72 ,  3K107DD75 ,  3K107DD91 ,  3K107DD94 ,  3K107DD96 ,  3K107EE02 ,  3K107EE03 ,  3K107FF07 ,  3K107FF15 ,  3K107FF18 ,  3K107GG04 ,  3K107GG28 ,  3K107GG33 ,  4K029AA02 ,  4K029AA06 ,  4K029AA09 ,  4K029AA11 ,  4K029AA24 ,  4K029BA02 ,  4K029BA34 ,  4K029BA62 ,  4K029BB02 ,  4K029BB03 ,  4K029BC03 ,  4K029BC08 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029CA05 ,  4K029EA01 ,  4K029EA02 ,  4K029HA01

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 有機エレクトロルミネッセンス素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-090263   出願人：信越ポリマー株式会社