特許

J-GLOBAL ID：201803019027724033

硫化物粒子、硫化物、硫化物粒子の製造方法、半導体材料、及び熱電変換材料

発明者： 赤塚 威夫 ,  小野 博信 ,  前之園 信也 ,  小矢野 幹夫
出願人/特許権者： 株式会社日本触媒
代理人 (2件)： 鎌田 耕一 ,  西尾 光彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-090406
公開番号（公開出願番号）：特開2018-035053
出願日： 2017年04月28日
公開日（公表日）： 2018年03月08日
要約：

【課題】半導体材料、特に熱電変換材料や太陽電池材料に用いる、ウルツ鉱型構造を有する新規な硫化物粒子および硫化物粒子の製造方法の提供。【解決手段】銅と、ゲルマニウム及び/又はスズである14族元素と、5族金属元素を含み、1〜100nmの粒径のウルツ鉱型構造を有する硫化物粒子。銅化合物(A)と、ゲルマニウム及び/又はスズである14族元素を含む化合物(B)と、5族金属元素を含む化合物(C)とを、不活性雰囲気において硫黄又は硫黄化合物を含む液体に加え、これらを反応させて、硫化物粒子を前記液体中に析出させ、この粒子を前記液体から分離する、硫化物粒子の製造方法。第5族金属元素の原子数が、銅の原子数と、第14族元素の原子数と、5族金属元素の原子数との和の1〜50%である、硫化物粒子。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

銅と、ゲルマニウム及び/又はスズである14族元素と、5族金属元素を含み、 1nm〜100nmの粒子径を有する、 硫化物粒子。

IPC (3件)：

C01G 31/00 ,  H01L 35/16 ,  H01L 35/34

FI (3件)：

C01G31/00 ,  H01L35/16 ,  H01L35/34

Fターム (7件)：

4G048AA03 ,  4G048AB02 ,  4G048AC08 ,  4G048AD04 ,  4G048AD06 ,  4G048AE07 ,  4G048AE08