特許

J-GLOBAL ID：201803019173021850

半導体装置

発明者： 長尾 勝久
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人あい特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016086445
公開番号（公開出願番号）：WO2017-104516
出願日： 2016年12月07日
公開日（公表日）： 2017年06月22日
要約：

電流センス部からセンス側表面電極に接合される配線材への熱の逃げを抑制することによって、電流センス部による主電流の電流値の検出精度を向上させることができるSiC半導体装置を提供する。 SiC半導体基板と、主電流側単位セル34を含むソース部27と、センス側単位セル40を含む電流センス部26と、ソース部27の上方に配置されたソース側表面電極5と、電流センス部26の上方に配置され、センス側ワイヤが接合されるセンス側パッド15を有するセンス側表面電極6とを含み、センス側単位セル40は、センス側パッド15の直下部を避けた位置に配置されている、半導体装置1を提供する。

請求項（抜粋）：

SiCからなる半導体層と、 前記半導体層に形成され、主電流側の第1単位セルを含むソース部と、 前記半導体層に形成され、電流検出側の第2単位セルを含む電流センス部と、 前記ソース部の上方に配置されたソース側表面電極と、 前記電流センス部の上方を少なくとも一部に含むように配置されたセンス側表面電極とを含み、 前記第2単位セルは、前記センス側表面電極の下方で、かつ配線材の接合部分の直下部を避けた位置に配置されている、半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/12

FI (6件)：

H01L29/78 657F ,  H01L29/78 652Q ,  H01L29/78 652M ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652S ,  H01L29/78 653A