特許
J-GLOBAL ID：201803019282390874
第1のレベルのダイと、背中合わせに積み重ねられた第2のレベルのダイと、第3のレベルのダイとを備え、対応する第1、第2、及び第3の再配線層を有する垂直スタックシステムインパッケージ、並びにその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
田中 伸一郎
, 弟子丸 健
, ▲吉▼田 和彦
, 大塚 文昭
, 西島 孝喜
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-555328
公開番号（公開出願番号）：特表2018-514088
出願日： 2016年03月08日
公開日（公表日）： 2018年05月31日
要約：
垂直に積み重ねられたシステムインパッケージ構造体が記載される。パッケージが、第1のレベル(125)の成形(122)及びファンアウト構造体(130)と、第3のレベル(185)の成形(182)及びファンアウト構造体(190)と、第1のレベル(125)と第3のレベル(185)との間の第2のレベル(155)の成形(152)及びファンアウト構造体(160)とを含む。第1のレベル(125)の成形(122)及びファンアウト構造体(130)は、第1のレベルのダイ(110)を含み、第2のレベル(155)の成形(152)及びファンアウト構造体(160)は、背中合わせのダイ(142)を含み、各ダイ(142)の前面が、再配線層(130、160)に接合されており、第3のレベル(185)の成形(182)は、第3のレベルのダイ(172)を含む。複数の第1のレベルの成形ダイ(110)を使用することができる。第1のレベルのダイ(110)は揮発性メモリダイとすることができ、第2のレベルのダイ(142)は不揮発性メモリダイとすることができ、第3のレベルのダイ(172)はアクティブダイとすることができる。垂直スタックシステムインパッケージを形成する方法では、キャリア基板を使用し、後に除去することができる。
請求項（抜粋）：
第1のレベルの成形コンパウンド内に封入された第1のレベルのダイと、
前記封入された第1のレベルのダイ上に位置する第1の再配線層(RDL)と、
前記第1のRDL上に位置する1対の背中合わせに積み重ねられたダイを含み、第2のレベルの成形コンパウンド内に封入された第2のレベルのダイスタックと、
前記封入された第2のレベルのダイスタック上に位置する第2のRDLと、
前記第2のRDL上に位置し、第3のレベルの成形コンパウンド内に封入され、前記第2のRDLに向かって後ろ向きである第3のレベルのダイと、
前記封入された第3のレベルのダイ上に位置する第3のRDLと、を備える垂直スタックシステムインパッケージ(SiP)。
IPC (7件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 23/12
, H01L 23/28
, H01L 23/29
, H01L 23/31
H01L25/08 B
, H01L25/08 Y
, H01L23/12 501P
, H01L23/28 A
, H01L23/30 R
4M109AA01
, 4M109BA07
, 4M109DA09
, 4M109DB15
, 4M109EA02
