特許
J-GLOBAL ID：201803019328864035
光電変換素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
中山 亨
, 坂元 徹
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016068947
公開番号（公開出願番号）：WO2017-002742
出願日： 2016年06月27日
公開日（公表日）： 2017年01月05日
要約：
光照射に対する耐久性に優れた光電変換素子を提供する。 陰極と、陽極と、前記陰極および前記陽極の間に設けられており、ペロブスカイト化合物を含む活性層と、前記陰極および前記活性層の間に設けられており、式(2)で表される基を有するフラーレン誘導体を含む電子輸送層とを有する光電変換素子。 (1)(式中、環Fはフラーレン骨格を表し、C1は炭素原子を表し、環Ar21はアリール基等を表し、Rは式(2)で表される基を表し、環Ar22はアリール基等を表し、mおよびnは1以上の整数を表し、R1〜R3は水素原子等を表し、pおよびqは1以上の整数を表す。)
請求項（抜粋）：
陰極と、
陽極と、
前記陰極および前記陽極の間に設けられており、ペロブスカイト化合物を含む活性層と、
前記陰極および前記活性層の間に設けられており、下記式(1)で表されるフラーレン誘導体を含む電子輸送層と
を有する光電変換素子。
IPC (3件)：
H01L 51/46
, H01L 51/44
, H01L 51/42
H01L31/04 154F
, H01L31/04 112Z
, H01L31/08 T
