特許
J-GLOBAL ID：201803019371989119
はんだ付け方法および半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
阪本 朗
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-132701
公開番号（公開出願番号）：特開2015-008209
特許番号：特許第6236915号
出願日： 2013年06月25日
公開日（公表日）： 2015年01月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】水素を含むニッケルめっき層を有する部材を300°C〜400°Cの第1の温度範囲で不活性ガス雰囲気中で加熱することで前記ニッケルめっき層の表面の酸化ニッケル膜を還元する工程と、
前記部材と被接合部材との間にはんだを配置する工程と、
前記部材、前記はんだ、前記被接合部材を200°C〜300°C未満の第2の温度範囲で還元ガス雰囲気中ではんだ接合する工程と、
を含むことを特徴とするはんだ付け方法。
IPC (6件)：
H05K 3/34 ( 200 6.01)
, B23K 1/00 ( 200 6.01)
, B23K 1/20 ( 200 6.01)
, B23K 31/02 ( 200 6.01)
, B23K 101/42 ( 200 6.01)
, B23K 103/12 ( 200 6.01)
H05K 3/34 507 J
, B23K 1/00 330 E
, B23K 1/20 C
, B23K 1/20 H
, B23K 1/20 D
, B23K 31/02 310 B
, B23K 101:42
, B23K 103:12
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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