特許

J-GLOBAL ID：201803019455917920

磁気トンネル接合

発明者： シディック,マンザール
出願人/特許権者： マイクロン テクノロジー, インク.
代理人 (2件)： 大菅 義之 ,  野村 泰久
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-557161
公開番号（公開出願番号）：特表2018-515922
出願日： 2016年01月21日
公開日（公表日）： 2018年06月14日
要約：

磁気トンネル接合が、磁気記録材料を含む導電性の第1の磁性電極を備える。導電性の第2の磁性電極が、第1の電極から離隔されており、磁気参照材料を含む。第1の電極と第2の電極との間に、非磁性トンネル絶縁体材料が存在する。第1の電極の磁気記録材料は、第1の結晶磁性領域を含み、一実施形態では、この領域はCoおよびFeを含む。一実施形態では、第1の電極は、アモルファスXNを含む第2のアモルファス領域を含み、ただし、Xは、W、Mo、Cr、V、Nb、Ta、AlおよびTiのうちの1つまたは複数である。一実施形態では、第1の電極は、Co、FeおよびNを含む第2の領域を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

磁気記録材料を含む導電性の第1の磁性電極と、 前記第1の電極から離隔されており、磁気参照材料を含む導電性の第2の磁性電極と、 前記第1の電極と前記第2の電極との間にある非磁性トンネル絶縁体材料と を備え、 前記第1の電極の前記磁気記録材料が、CoおよびFeを含む第1の結晶磁性領域を含み、 前記第1の電極が、アモルファスXNを含む第2のアモルファス領域を含み、ただし、Xが、W、Mo、Cr、V、Nb、Ta、AlおよびTiのうちの1つまたは複数である、 磁気トンネル接合。

IPC (4件)：

H01L 43/10 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (3件)：

H01L43/10 ,  H01L27/105 447 ,  H01L43/08 Z

Fターム (22件)：

4M119AA03 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD17 ,  5F092AA05 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092AD25 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB45 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BE06 ,  5F092BE13 ,  5F092BE21 ,  5F092BE24 ,  5F092BE25

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 磁気抵抗素子および磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-194180   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-204442   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-172017   出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
• 磁気抵抗効果素子およびその製造方法ならびに磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-060903   出願人：株式会社東芝