特許

J-GLOBAL ID：201803019505735801

p型不純物拡散組成物、それを用いた半導体素子の製造方法および太陽電池の製造方法

発明者： 北田 剛 ,  稲葉 智雄 ,  池上 由洋
出願人/特許権者： 東レ株式会社
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016078193
公開番号（公開出願番号）：WO2017-057238
出願日： 2016年09月26日
公開日（公表日）： 2017年04月06日
要約：

本発明は、半導体基板への優れた拡散性とn型不純物に対する十分なバリア性を有するp型不純物拡散組成物を提供することを目的とする。 上記目的を達成するため、本発明は以下の構成を有する。すなわち、(A)ポリシロキサンと(B)Si-O-B結合を有するp型不純物拡散成分とを含有するp型不純物拡散組成物である。

請求項（抜粋）：

(A)ポリシロキサンと(B)Si-O-B結合を有するp型不純物拡散成分とを含有するp型不純物拡散組成物。

IPC (2件)：

H01L 21/225 ,  H01L 31/18

FI (3件)：

H01L21/225 D ,  H01L21/225 R ,  H01L31/04 440

Fターム (13件)：

5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151AA16 ,  5F151BA11 ,  5F151CB13 ,  5F151CB20 ,  5F151CB21 ,  5F151DA03 ,  5F151DA10 ,  5F151EA11 ,  5F151EA15 ,  5F151GA04 ,  5F151GA15