特許
J-GLOBAL ID：201803019636111790
半導体装置および半導体装置の製造方法
出願人/特許権者：
富士電機株式会社
富士電機株式会社 について
代理人 (1件)： 酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-050240
公開番号（公開出願番号）：特開2018-113470
出願日： 2018年03月16日
公開日（公表日）： 2018年07月19日
要約：
【課題】微細化を図ったトレンチゲート型のRC-IGBTにおいて、良好なダイオード特性を実現することができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】IGBT部21おいて、エミッタ電極8は、第1コンタクトホール9aに埋め込まれたコンタクトプラグ14を介してn+型エミッタ領域6およびp+型コンタクト領域7に電気的に接続される。p型ベース領域2、トレンチ3、エミッタ電極8および層間絶縁膜9は、IGBT部21からFWD部22にわたって設けられている。FWD部22において、エミッタ電極8は、第2コンタクトホール9bに埋め込まれたコンタクトプラグを介してp型ベース領域2に直接接続される。【選択図】図12
請求項（抜粋）：
第1導電型のドリフト層となる半導体基板に、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタが設けられた第1素子領域と、ダイオードが設けられた第2素子領域と、を備えた半導体装置であって、
前記半導体基板のおもて面に、前記第1素子領域から前記第2素子領域にわたって設けられた複数のトレンチと、
前記複数のトレンチの少なくとも一部のトレンチの内部に、ゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、
隣り合う前記トレンチの間に設けられた第2導電型のベース領域と、
前記第1素子領域において前記ベース領域の内部に選択的に設けられた第1導電型のエミッタ領域と、
前記第1素子領域において前記ベース領域の内部に選択的に設けられた、前記ベース領域よりも不純物濃度の高い第2導電型の第1コンタクト領域と、
前記第2素子領域において前記ベース領域の内部に選択的に設けられた、前記ベース領域よりも不純物濃度の高い第2導電型の第2コンタクト領域と、
前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜と、
前記第1素子領域において前記層間絶縁膜を深さ方向に貫通して前記エミッタ領域および前記第1コンタクト領域を露出する第1コンタクトホールと、
前記第2素子領域において前記層間絶縁膜を深さ方向に貫通して前記ベース領域および前記第2コンタクト領域を露出する第2コンタクトホールと、
前記第1コンタクトホールに埋め込まれ、前記エミッタ領域および前記第1コンタクト領域に接する第1コンタクトプラグと、
前記第2コンタクトホールに埋め込まれ、前記ベース領域および前記第2コンタクト領域に接する第2コンタクトプラグと、
前記第1コンタクトプラグおよび前記第2コンタクトプラグに接する第1電極と、
前記第1素子領域において前記半導体基板の裏面に設けられた第2導電型のコレクタ領域と、
前記第2素子領域において前記半導体基板の裏面に設けられた第1導電型のカソード領域と、
前記コレクタ領域および前記カソード領域に接する第2電極と、
を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
FI (8件)：
H01L29/78 657D
, H01L29/78 652M
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 655A
, H01L29/91 C
, H01L29/78 658F
, H01L29/78 652D
, H01L27/06 102A
Fターム (9件)：
5F048AC06
, 5F048AC10
, 5F048BA01
, 5F048BB20
, 5F048BC12
, 5F048BD07
, 5F048BF07
, 5F048BF11
, 5F048BF16
引用特許：
出願人引用 (4件)
-
半導体装置
公報種別：公開公報 出願番号：特願2010-182356 出願人：株式会社デンソー, トヨタ自動車株式会社, 株式会社豊田中央研究所 -
絶縁ゲート型半導体装置
公報種別：公開公報 出願番号：特願2011-079181 出願人：セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー -
半導体装置及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報 出願番号：特願2013-063590 出願人：新電元工業株式会社
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