特許

J-GLOBAL ID：201803019642916473

低温焼成セラミック基板の抵抗膜製造方法、及び低温焼成セラミック基板

発明者： 梶川 弥央
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (4件)： 稲葉 忠彦 ,  村上 加奈子 ,  松井 重明 ,  倉谷 泰孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-124303
公開番号（公開出願番号）：特開2017-228677
出願日： 2016年06月23日
公開日（公表日）： 2017年12月28日
要約：

【課題】 LTCC基板表層を部分研磨することにより、より高精度な薄膜抵抗体の配線パターンを形成することを目的とする。【解決手段】 イオンミリングにより上記低温焼成セラミック基板の抵抗膜下部のセラミック表面を部分的に研磨する研磨工程、上記研磨工程後の上記低温焼成セラミック基板のセラミック表面にスパッタリングによりアルミナ膜を形成するスパッタリング工程、上記スパッタリング工程後のアルミナ膜を研磨するバフ研磨工程、上記バフ研磨工程後のアルミナ膜上に抵抗膜を蒸着する抵抗膜蒸着工程を備える。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板表面にアルミナ膜を形成し、当該アルミナ膜の表面に抵抗膜を形成するイオンミリングを用いた低温焼成セラミック基板の抵抗膜製造方法であって、 イオンミリングにより上記低温焼成セラミック基板の抵抗膜下部のセラミック表面を部分的に研磨する研磨工程、 上記研磨工程後の上記低温焼成セラミック基板のセラミック表面にスパッタリングによりアルミナ膜を形成するスパッタリング工程、 上記スパッタリング工程後のアルミナ膜を研磨するバフ研磨工程、 上記バフ研磨工程後のアルミナ膜上に抵抗膜を蒸着する抵抗膜蒸着工程、 を備えた低温焼成セラミック基板の抵抗膜製造方法。

IPC (2件)：

H05K 1/16 ,  H01C 17/065

FI (2件)：

H05K1/16 C ,  H01C17/065 300

Fターム (13件)：

4E351AA07 ,  4E351AA17 ,  4E351AA20 ,  4E351BB05 ,  4E351BB32 ,  4E351CC01 ,  4E351CC40 ,  4E351DD01 ,  4E351GG09 ,  4E351GG20 ,  5E032BA11 ,  5E032BB01 ,  5E032CC18