特許
J-GLOBAL ID:201803019661346521
樹脂封止金型およびそれを用いた半導体装置の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-190178
公開番号(公開出願番号):特開2018-056310
出願日: 2016年09月28日
公開日(公表日): 2018年04月05日
要約:
【課題】ダイパッド裏面のフラッシュバリの発生を抑制する樹脂封止金型を提供する。【解決手段】ダイパッド3の裏面にはその外周部に突出部4が設けられている。一方樹脂封止下金型1の上面、すなわち封止領域11の底面には、面積が前記ダイパッド裏面の突出部4で囲まれた部分より小さく、高さが突出部4の高さと同一の凸部2が設けられている。樹脂封止時の成形圧によってダイパッドの半導体チップ搭載面や搭載されている半導体チップに対し押し下げの方向に応力がかかるが、樹脂封止下金型1に設けられた凸部がダイパッドを支える為、ダイパッドの変形とそれによるダイパット裏面と金型の間への樹脂の侵入やダイパットに搭載されている半導体チップへの応力を防ぐ事が可能になる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
半導体チップを搭載するダイパッドの裏面の外周部に突出部を有し、前記ダイパッドの裏面が封止樹脂から露出する半導体装置を、前記ダイパッドがリードフレームに固定された状態で成形する樹脂封止金型において、
樹脂封止領域の下半分を決定する凹部と、前記凹部の中央部に設けられた前記ダイパッドの突出部が接触するダイパッド設置領域と、周囲を前記ダイパッド設置領域に囲まれ上面が前記ダイパッドと接する凸部を備える第1の金型と、
前記第1の金型と対となり、前記樹脂封止領域の上半分を決定する第2の金型と、
を備えることを特徴とする樹脂封止金型。
IPC (2件):
FI (3件):
H01L21/56 T
, H01L23/50 U
, H01L23/50 G
Fターム (10件):
5F061AA01
, 5F061BA02
, 5F061CA21
, 5F061DA06
, 5F061DD12
, 5F061EA02
, 5F061EA03
, 5F067AA11
, 5F067BE02
, 5F067DE09
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