半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：片寄恭三
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-214999
公開番号（公開出願番号）：特開2017-111849
特許番号：特許第6293846号
出願日： 2016年11月02日
公開日（公表日）： 2017年06月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】NAND型フラッシュメモリのプログラム方法であって、プログラムすべきデータを受け取るステップと、当該プログラムすべきデータによりプログラムされるビット数が、誤り検出・訂正手段により救済可能な救済ビット数以下であるか否を判定するステップと、前記誤り検出・訂正手段により前記プログラムすべきデータの誤り訂正符号を生成するステップと、前記プログラムすべきデータによりプログラムされるビット数が前記救済ビット数以下であると判定されたとき、選択ページのレギュラー領域にプログラムをすることなく、スペア領域に前記誤り訂正符号をプログラムすることで選択ページへのプログラムを終了するステップと、を有するプログラム方法。

IPC (3件)：