特許

J-GLOBAL ID：201803019843963844

表示装置

発明者： 三宅 博之
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-029687
公開番号（公開出願番号）：特開2018-128682
出願日： 2018年02月22日
公開日（公表日）： 2018年08月16日
要約：

【課題】フレーム周波数の変化に対応させて、開口率を低減させることなく画素内に所望の保持容量を確保することを可能とした液晶表示装置を提供する。【解決手段】酸化物半導体材料を用いた画素トランジスタ300及び2つの容量素子10、20を各画素110に有する液晶表示装置において、一方の容量素子10は、透光性を有する材料で構成し、画素の開口率を向上させる。更に透光性を有する容量素子10の特性を利用して、画像の表示状態に依存して変化するフレーム周波数に対応させて容量線の電圧値を調整することで、画素内の保持容量の大きさを変化させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

画素を有し、 前記画素は、 第1のトランジスタと、 第2のトランジスタと、 第1の容量素子と、 第2の容量素子と、 液晶素子と、を有し、 前記第1のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第2のトランジスタのソースまたはドレインの一方と、前記第1の容量素子の一方の電極と、前記第2の容量素子の一方の電極と、前記液晶素子の一方の電極と、電気的に接続され、 前記第2のトランジスタのゲートは、前記第1の容量素子の他方の電極と電気的に接続され、 前記第2のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第2の容量素子の他方の電極と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。

IPC (2件)：

G02F 1/136 ,  H01L 29/786

FI (2件)：

G02F1/1368 ,  H01L29/78 618B

Fターム (21件)：

2H192AA24 ,  2H192BC31 ,  2H192CB05 ,  2H192CB11 ,  2H192CB37 ,  2H192CC04 ,  2H192DA12 ,  2H192DA41 ,  2H192DA43 ,  2H192DA52 ,  2H192DA65 ,  2H192GD61 ,  5F110CC07 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110NN44 ,  5F110NN73

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-200767   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• アクティブマトリクスデバイスおよびディスプレイ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-051695   出願人：シャープ株式会社