特許

J-GLOBAL ID：201803019960331697

強磁性トンネル接合体の製造方法及び強磁性トンネル接合体

発明者： 市川 心人 ,  中田 勝之 ,  介川 裕章 ,  三谷 誠司
出願人/特許権者： TDK株式会社 ,  国立研究開発法人物質・材料研究機構
代理人 (4件)： 棚井 澄雄 ,  荒 則彦 ,  飯田 雅人 ,  荻野 彰広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-022040
公開番号（公開出願番号）：特開2018-129423
出願日： 2017年02月09日
公開日（公表日）： 2018年08月16日
要約：

【課題】均一なトンネルバリア層を有する強磁性トンネル接合体及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】この強磁性トンネル接合体の製造方法は、第1強磁性金属層を積層する工程と、前記第1強磁性金属層の一面側に、非磁性金属酸化物層を積層する工程と、前記非磁性金属酸化物層の前記第1強磁性金属層と反対側に、第2強磁性金属層を積層する工程とを有し、前記非磁性金属酸化物層を積層する工程は、酸素含有雰囲気下で行われ、前記非磁性金属酸化物層を積層する工程中に積層空間内に供給される酸素流量は、希ガス流量より少ない。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1強磁性金属層を積層する工程と、 前記第1強磁性金属層の一面側に、非磁性金属酸化物層を積層する工程と、 前記非磁性金属酸化物層の前記第1強磁性金属層と反対側に、第2強磁性金属層を積層する工程とを有し、 前記非磁性金属酸化物層を積層する工程は、酸素含有雰囲気下で行われ、 前記非磁性金属酸化物層を積層する工程中に積層空間内に供給される酸素流量は、希ガス流量より少ない、強磁性トンネル接合体の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 43/12 ,  H01L 43/10 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

H01L43/12 ,  H01L43/10 ,  H01L21/316 Y

Fターム (28件)：

5F058BA06 ,  5F058BB05 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF12 ,  5F058BJ04 ,  5F092AA05 ,  5F092AB01 ,  5F092AB02 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092BB10 ,  5F092BB12 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB24 ,  5F092BB34 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB44 ,  5F092BB55 ,  5F092BC03 ,  5F092BC14 ,  5F092BE13 ,  5F092BE21 ,  5F092CA02 ,  5F092CA13 ,  5F092CA25

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 磁気抵抗素子および磁気抵抗素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-067089   出願人：独立行政法人科学技術振興機構, 独立行政法人産業技術総合研究所
• 強磁性トンネル接合体とそれを用いた磁気抵抗効果素子及びスピントロニクスデバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-039582   出願人：独立行政法人物質・材料研究機構

審査官引用 (1件)

• 磁気抵抗素子および磁気抵抗素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-067089   出願人：独立行政法人科学技術振興機構, 独立行政法人産業技術総合研究所