特許
J-GLOBAL ID：201803020076614225
トランジスタアレイ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 津国
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-551961
特許番号：特許第6268189号
出願日： 2013年12月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板と、当該基板を共用する若干のトランジスタユニットとを含み、
前記トランジスタユニットは、
前記基板上に位置する下電極及び下電極の引き出し線と、
前記下電極上に位置する圧電材料である圧電体と、
前記圧電体上に位置する上電極と、を含み、
各トランジスタユニットは、個別の前記上電極及び前記下電極を有し、
前記圧電体の内部には、前記トランジスタユニットに直接に外部からの機械的作用である外力が印加されるか又は圧力駆動されて変形されることに対応して前記圧電体が変形することにより、一端が正で他端が負である圧電電界が発生し、
前記圧電電界により、前記トランジスタユニットにおける下電極又は上電極の電極材料とその近傍の圧電体との間の界面障壁が調整・制御され、
前記界面障壁が調整・制御されることにより、前記トランジスタユニットのキャリアの伝送が調整されて制御、又は、トリガーされて、前記トランジスタユニットの電気的性能が制御される、
ことを特徴とするトランジスタアレイ。
IPC (4件)：
H01L 41/113 ( 200 6.01)
, H01L 41/193 ( 200 6.01)
, H01L 41/187 ( 200 6.01)
, H01L 41/23 ( 201 3.01)
H01L 41/113
, H01L 41/193
, H01L 41/187
, H01L 41/23
