特許

J-GLOBAL ID：201803020170030083

インダクタを有するガラスウェハを使用するアドバンスドノードシステムオンチップ(SOC)によるインダクタの集積化およびウェハ間接合

発明者： カリム・アラビ ,  ラヴィンドラ・ヴァマン・シェノイ ,  エフゲニー・ペトロヴィチ・グーセフ ,  メテ・エルターク
出願人/特許権者： クアルコム,インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 村山 靖彦 ,  黒田 晋平
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-509890
公開番号（公開出願番号）：特表2018-532260
出願日： 2016年08月08日
公開日（公表日）： 2018年11月01日
要約：

コイルインダクタを有する電圧レギュレータが、システムオンチップ(SOC)デバイスに集積化または組み込まれる。コイルインダクタは、貫通ビアを有してインダクタウェハ上に製造され、インダクタウェハは、SOCデバイスと集積化するために、SOCウェハと接合される。

請求項（抜粋）：

システムオンチップ(SOC)ウェハと、 第1および第2の面ならびにそれらを通る複数のビアを有するインダクタウェハであって、前記ビアが前記インダクタウェハ中で複数の側壁を形成し、前記インダクタウェハの前記第1の面が前記SOCウェハに隣接して配設される、インダクタウェハと、 前記インダクタウェハの前記第1の面の少なくとも一部の上の磁気層と、 前記磁気層上、前記インダクタウェハの前記第2の面の少なくとも一部の上、および前記インダクタウェハ中の前記ビアにより形成された前記側壁のうちの少なくともいくつかの上に配設される導電層と を備える、デバイス。

IPC (2件)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/15

FI (2件)：

H01L23/12 B ,  H01L23/14 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特許第6976300号
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-161787   出願人：株式会社日立製作所