特許
J-GLOBAL ID:201803020310112093

光水分解反応用電極の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 山本 典輝 ,  山下 昭彦 ,  岸本 達人
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-035141
公開番号(公開出願番号):特開2016-144804
特許番号:特許第6270884号
出願日: 2016年02月26日
公開日(公表日): 2016年08月12日
請求項(抜粋):
【請求項1】光触媒粒子を構成する光触媒として、オキシナイトライド、ナイトライド、オキシサルファイド、および、サルファイドからなる群から選ばれる1種以上が支持体上に堆積されてなるとともに、前記光触媒粒子の周囲に半導体または良導体が付与された光水分解反応用電極の製造方法であって、 前記半導体または良導体が、TiN、TiO2、Ta3N5、TaON、ZnO、SnO2、ITO、Ag、Au、C、Cu、Cd、Co、Cr、Fe、Ga、Ge、Hg、Ir、In、Mn、Mo、Ni、Nb、Pb、Ru、Re、Rh、Sn、Sb、Ta、Ti、V、W、並びに、これらの合金および混合物から選ばれるいずれかであり、 前記半導体または良導体の前駆体溶液に前記光触媒粒子を浸漬および乾燥を繰り返して、該半導体または良導体の前駆体で該光触媒粒子をコーティングした後、熱分解処理を行うことを特徴とする、光水分解反応用電極の製造方法。
IPC (9件):
B01J 35/02 ( 200 6.01) ,  H01G 9/20 ( 200 6.01) ,  B01J 37/08 ( 200 6.01) ,  B01J 37/02 ( 200 6.01) ,  B01J 27/24 ( 200 6.01) ,  C25B 11/06 ( 200 6.01) ,  C25B 11/08 ( 200 6.01) ,  C25B 11/04 ( 200 6.01) ,  C25B 1/04 ( 200 6.01)
FI (9件):
B01J 35/02 J ,  H01G 9/20 101 ,  B01J 37/08 ,  B01J 37/02 101 C ,  B01J 27/24 M ,  C25B 11/06 A ,  C25B 11/08 A ,  C25B 11/04 Z ,  C25B 1/04
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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引用文献:
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