特許
J-GLOBAL ID:201803020519448722

異物除去装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人YKI国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-117573
公開番号(公開出願番号):特開2017-224664
出願日: 2016年06月14日
公開日(公表日): 2017年12月21日
要約:
【課題】基板や半導体ダイの損傷を抑制しつつ微小な異物を除去する。【解決手段】液体の二酸化炭素の加圧流れを膨張させて、膨張の際の冷却により、その流れの中にドライアイス粒子を形成するノズル31とノズル31に接続され、固体の二酸化炭素粒子が流入するチャンバ29と、チャンバ29に接続され、ドライアイス粒子を基板13の表面に向かって噴出させるスリット23と、スリット23に隣接して配置される吸引口24と、を備える異物除去装置100において、ノズル31とチャンバ29との間隔を変化させてスリット23から噴出するドライアイス粒子の粒子径を調整する。【選択図】図2
請求項(抜粋):
液体の二酸化炭素の加圧流れを膨張させて、膨張の際の冷却により、その流れの中に固体の二酸化炭素粒子を形成するノズルと、 前記ノズルに接続され、固体の二酸化炭素粒子が流入するチャンバと、 前記チャンバに接続され、固体の二酸化炭素粒子を平板状部材の表面に向かって噴出させる噴出口と、 前記噴出口に隣接して配置される吸引口と、を備える異物除去装置であって、 前記ノズルと前記チャンバとの間隔を変化させて前記噴出口から噴出する個体の二酸化炭素粒子の粒子径を調整する異物除去装置。
IPC (3件):
H01L 21/304 ,  B08B 3/02 ,  B08B 7/00
FI (3件):
H01L21/304 643C ,  B08B3/02 A ,  B08B7/00
Fターム (37件):
3B116AA02 ,  3B116AB13 ,  3B116AB42 ,  3B116BA06 ,  3B116BB32 ,  3B116BB46 ,  3B116BB73 ,  3B116BB82 ,  3B116BB90 ,  3B116CD01 ,  3B116CD35 ,  3B201AA02 ,  3B201AB42 ,  3B201BA06 ,  3B201BB32 ,  3B201BB46 ,  3B201BB73 ,  3B201BB82 ,  3B201BB90 ,  3B201CD01 ,  3B201CD35 ,  5F157AA02 ,  5F157AA73 ,  5F157AA99 ,  5F157AC01 ,  5F157BA06 ,  5F157BB13 ,  5F157BB32 ,  5F157BB44 ,  5F157BB66 ,  5F157BC32 ,  5F157BC35 ,  5F157BD35 ,  5F157CA05 ,  5F157CF32 ,  5F157CF34 ,  5F157DB51
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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