特許

J-GLOBAL ID：201803020532405986

イオン対積層体、圧電体の製造方法および超音波撮像装置

発明者： 大久保 毅
出願人/特許権者： コニカミノルタ株式会社
代理人 (2件)： 鷲田 公一 ,  木曽 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-175624
公開番号（公開出願番号）：特開2018-041865
出願日： 2016年09月08日
公開日（公表日）： 2018年03月15日
要約：

【課題】膜状であっても高い結晶配向性を有する圧電体を実現可能な技術、および、超音波画像診断において高い空間分解能を有するとともに高い深度、遠距離化を実現可能な超音波撮像装置を提供する。【解決手段】鉛原子を含むラジカル重合体による第1の層3と、その上に形成されるカチオン性重合体による第2の層5とを有するイオン対積層体を形成する。当該イオン対積層体には、Bサイト化合物が含まれる。上記イオン対積層体を加熱し、ペロブスカイト構造の圧電体で構成される圧電体の膜6を作製する。当該圧電体の膜6を、超音波撮像装置の超音波プローブに搭載する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

下記式で表されるラジカル重合性モノマーのラジカル重合によるラジカル重合体で構成される第1の層と、前記第1の層の上に配置される、カチオン性重合体で構成される第2の層と、を有し、 前記ラジカル重合体と前記カチオン性重合体とがイオン対を形成している、イオン対積層体。 R1OPbOR2 (前記式中、R1、R2は、それぞれラジカル重合性官能基を表す。)

IPC (10件)：

H01L 41/187 ,  H01L 41/113 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/43 ,  H01L 41/317 ,  C08F 120/06 ,  B32B 27/00 ,  A61B 8/14 ,  H04R 31/00 ,  H04R 17/00

FI (10件)：

H01L41/187 ,  H01L41/113 ,  H01L41/09 ,  H01L41/43 ,  H01L41/317 ,  C08F120/06 ,  B32B27/00 C ,  A61B8/14 ,  H04R31/00 330 ,  H04R17/00 330G

Fターム (33件)：

4C601GB02 ,  4C601GB06 ,  4C601GB16 ,  4C601GB41 ,  4C601GB43 ,  4C601GB45 ,  4F100AB01A ,  4F100AB01B ,  4F100AB11 ,  4F100AH03 ,  4F100AK01A ,  4F100AK01B ,  4F100AK25 ,  4F100BA02 ,  4F100CC00B ,  4F100EH46 ,  4F100EH66 ,  4F100JG10 ,  4J100AK13P ,  4J100CA01 ,  4J100DA55 ,  4J100FA03 ,  4J100FA18 ,  4J100FA28 ,  4J100JA43 ,  5D019AA21 ,  5D019AA26 ,  5D019BB02 ,  5D019BB12 ,  5D019BB19 ,  5D019EE02 ,  5D019FF04 ,  5D019HH01