特許
J-GLOBAL ID：201803020669877354
高周波伝送線路の接続構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山川 茂樹
, 小池 勇三
, 山川 政樹
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016088398
公開番号（公開出願番号）：WO2017-111029
出願日： 2016年12月22日
公開日（公表日）： 2017年06月29日
要約：
本発明に係る高周波伝送線路の接続構造(3)は、一端が同軸線路に、他端が平面伝送線路に接続される円柱状の中心導体(7)と、中心導体の一端側に中心導体と同軸に配置された第1外部導体(41)と、第1外部導体と中心導体との間に充填された第1誘電体(42)と、中心導体の他端側に中心導体と同軸に配置された第2外部導体(61)と、第2外部導体と中心導体との間に充填された第2誘電体(62)と、第1外部導体と第2外部導体との間に中心導体と同軸に配置された第3外部導体(51)と、第3外部導体と中心導体との間に充填された第3誘電体(52)とを含み、中心導体の軸方向と平面伝送線路に垂直な方向に対して夫々垂直な方向において、中心導体と第1外部導体との最短距離が中心導体と第3外部導体との最短距離よりも大きく、且つ中心導体と第3外部導体との最短距離が中心導体と第2外部導体との最短距離よりも大きい。
請求項（抜粋）：
同軸線路と平面伝送線路とを接続する高周波伝送線路の接続構造であって、
一端が前記同軸線路の内部導体と接続され、他端が前記平面伝送線路と接続される円柱状の中心導体と、
前記中心導体と同軸に形成され前記中心導体の外径よりも大きい第1孔を有し、前記中心導体の前記一端側に配置された第1外部導体と、
前記中心導体と前記第1外部導体との間に充填された第1誘電体と、
前記中心導体と同軸に形成され前記中心導体の外径よりも大きい第2孔を有し、前記中心導体の前記他端側に配置された第2外部導体と、
前記中心導体と前記第2外部導体との間に充填された第2誘電体と、
前記中心導体と同軸に形成され前記中心導体の外径よりも大きい第3孔を有し、前記第1外部導体と前記第2外部導体との間に配置された第3外部導体と、
前記中心導体と前記第3外部導体との間に充填された第3誘電体とを有し、
前記中心導体の軸方向と前記平面伝送線路に垂直な方向に対して夫々垂直な方向において、前記中心導体と前記第1外部導体との最短距離が、前記中心導体と前記第3外部導体との最短距離よりも大きく、且つ前記中心導体と前記第3外部導体との最短距離が、前記中心導体と前記第2外部導体との最短距離よりも大きい
ことを特徴とする高周波伝送線路の接続構造。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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