特許
J-GLOBAL ID:201803020824245254

電子装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人筒井国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-124388
公開番号(公開出願番号):特開2017-228683
出願日: 2016年06月23日
公開日(公表日): 2017年12月28日
要約:
【課題】電子装置の性能低下を抑制しながら、電子装置の小型化を図る。【解決手段】電子装置EAは、サイズの異なる複数の貫通ビアを有する貫通基板WBの裏面の第1領域に、パワートランジスタを含むパワーモジュールPM2Aを配置する一方、貫通基板WBの表面の第2領域に、制御回路を含むプリドライバPD2を配置する。このとき、平面視において、第1領域と第2領域とは重なる領域を有する。そして、パワーモジュールPM2AとプリドライバPD2とは、貫通ビアTV1を介して電気的に接続されている。さらに、複数の貫通ビアは、第1サイズの貫通ビアTV1と、第1サイズより大きく、かつ、ケーブルCAL(V)を挿入可能な貫通ビアTV2と、内部に導電性部材CMが埋め込まれた貫通ビアTV3とを有する。【選択図】図17
請求項(抜粋):
サイズの異なる複数の貫通ビアを有する貫通基板と、 前記貫通基板の裏面に配置され、かつ、パワートランジスタを含む第1半導体装置と、 前記貫通基板の前記裏面とは反対側の表面に配置され、かつ、前記パワートランジスタを制御する制御回路を含む第2半導体装置と、 を備える、電子装置であって、 前記複数の貫通ビアは、 第1サイズの第1貫通ビアと、 前記第1サイズより大きく、かつ、ケーブルを挿入可能な第2貫通ビアと、 内部に導電性部材が埋め込まれた第3貫通ビアと、 を有し、 前記第1半導体装置は、 制御用端子と、 負荷と電気的に接続可能な第1端子と、 固定電位供給源と電気的に接続可能な第2端子と、 を有し、 前記貫通基板は、 前記裏面内の第1領域と、 平面視において、前記第1領域と重なる前記表面内の第2領域と、 を有し、 前記第1半導体装置は、前記第1領域に配置され、 前記第2半導体装置は、前記第2領域に配置され、 前記第1半導体装置の前記制御用端子は、前記第1貫通ビアを介して、前記第2半導体装置と電気的に接続され、 前記第1半導体装置の前記第1端子は、前記第2貫通ビアと電気的に接続され、 前記第3貫通ビアは、平面視において、前記第1領域と重なる位置に設けられている、電子装置。
IPC (2件):
H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (1件):
H01L25/04 C
引用特許:
出願人引用 (8件)
  • 電力変換装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2013-192041   出願人:株式会社安川電機
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2003-300192   出願人:松下電器産業株式会社
  • 電動機の駆動装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2012-187203   出願人:本田技研工業株式会社
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