特許
J-GLOBAL ID:201803020824245254
電子装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人筒井国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-124388
公開番号(公開出願番号):特開2017-228683
出願日: 2016年06月23日
公開日(公表日): 2017年12月28日
要約:
【課題】電子装置の性能低下を抑制しながら、電子装置の小型化を図る。【解決手段】電子装置EAは、サイズの異なる複数の貫通ビアを有する貫通基板WBの裏面の第1領域に、パワートランジスタを含むパワーモジュールPM2Aを配置する一方、貫通基板WBの表面の第2領域に、制御回路を含むプリドライバPD2を配置する。このとき、平面視において、第1領域と第2領域とは重なる領域を有する。そして、パワーモジュールPM2AとプリドライバPD2とは、貫通ビアTV1を介して電気的に接続されている。さらに、複数の貫通ビアは、第1サイズの貫通ビアTV1と、第1サイズより大きく、かつ、ケーブルCAL(V)を挿入可能な貫通ビアTV2と、内部に導電性部材CMが埋め込まれた貫通ビアTV3とを有する。【選択図】図17
請求項(抜粋):
サイズの異なる複数の貫通ビアを有する貫通基板と、
前記貫通基板の裏面に配置され、かつ、パワートランジスタを含む第1半導体装置と、
前記貫通基板の前記裏面とは反対側の表面に配置され、かつ、前記パワートランジスタを制御する制御回路を含む第2半導体装置と、
を備える、電子装置であって、
前記複数の貫通ビアは、
第1サイズの第1貫通ビアと、
前記第1サイズより大きく、かつ、ケーブルを挿入可能な第2貫通ビアと、
内部に導電性部材が埋め込まれた第3貫通ビアと、
を有し、
前記第1半導体装置は、
制御用端子と、
負荷と電気的に接続可能な第1端子と、
固定電位供給源と電気的に接続可能な第2端子と、
を有し、
前記貫通基板は、
前記裏面内の第1領域と、
平面視において、前記第1領域と重なる前記表面内の第2領域と、
を有し、
前記第1半導体装置は、前記第1領域に配置され、
前記第2半導体装置は、前記第2領域に配置され、
前記第1半導体装置の前記制御用端子は、前記第1貫通ビアを介して、前記第2半導体装置と電気的に接続され、
前記第1半導体装置の前記第1端子は、前記第2貫通ビアと電気的に接続され、
前記第3貫通ビアは、平面視において、前記第1領域と重なる位置に設けられている、電子装置。
IPC (2件):
FI (1件):
引用特許:
出願人引用 (8件)
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電力変換装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2013-192041
出願人:株式会社安川電機
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-300192
出願人:松下電器産業株式会社
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電動機の駆動装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2012-187203
出願人:本田技研工業株式会社
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半導体装置及び半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2007-229719
出願人:株式会社オクテック, 富士電機デバイステクノロジー株式会社
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半導体装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2009-198360
出願人:ルネサスエレクトロニクス株式会社
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電力用半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-039667
出願人:三菱電機株式会社
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パワーモジュール
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-333683
出願人:株式会社安川電機
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パワーモジュール
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-119670
出願人:株式会社安川電機
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