特許

J-GLOBAL ID：201803020939698740

プラズマCVD成膜装置

発明者： 鈴木 一生 ,  大石 清
出願人/特許権者： コニカミノルタ株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人磯野国際特許商標事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016076006
公開番号（公開出願番号）：WO2017-085984
出願日： 2016年09月05日
公開日（公表日）： 2017年05月26日
要約：

本発明に係るプラズマCVD成膜装置(31)は、長尺の基材(2)上に成膜するプラズマCVD成膜装置であり、内部に磁場を形成する磁場形成手段(43)、(44)を備え、対向して配置された一対の電極ロール(39)、(40)を有し、前記一対の電極ロール(39)、(40)は、それぞれの両端部(391)、(401)の周長方向に、最大比透磁率が5000〜190000である高透磁率材(392)、(402)を備えている。

請求項（抜粋）：

長尺の基材上に成膜するプラズマCVD成膜装置であり、 内部に磁場を形成する磁場形成手段を備え、対向して配置された一対の電極ロールを有し、 前記一対の電極ロールは、それぞれの両端部の周長方向に、最大比透磁率が5000〜190000である高透磁率材を備えていることを特徴とするプラズマCVD成膜装置。

IPC (3件)：

C23C 16/505 ,  C23C 16/54 ,  H05H 1/46

FI (3件)：

C23C16/505 ,  C23C16/54 ,  H05H1/46 A

Fターム (21件)：

2G084AA05 ,  2G084BB02 ,  2G084BB12 ,  2G084CC03 ,  2G084CC17 ,  2G084CC33 ,  2G084DD17 ,  2G084DD22 ,  2G084DD24 ,  2G084FF27 ,  2G084FF28 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030CA07 ,  4K030CA17 ,  4K030FA03 ,  4K030GA14 ,  4K030HA06 ,  4K030LA24