特許
J-GLOBAL ID:201803021194644500

熱輻射光発電装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人京都国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2017-034724
公開番号(公開出願番号):特開2018-143025
出願日: 2017年02月27日
公開日(公表日): 2018年09月13日
要約:
【課題】出力密度及び発電効率が共に高い熱輻射光発電装置を提供する。【解決手段】熱輻射体12と、熱輻射体12から離間して配置された、半導体層1111、1112、1121、1122を有する光電変換素子11と、熱輻射体12と光電変換素子11の間に、光電変換素子11に接し、各半導体層を構成する半導体のバンドギャップエネルギーのうちの最小のものに対応する波長であるバンドギャップ波長の1/3以下の距離だけ熱輻射体12から離間して配置された、波長0.5〜1000μmの光に関して誘電率の実部が正の値を有し且つ光電変換素子11において光電変換される波長範囲内の少なくとも一部の波長の光を透過する材料から成る中間部材13を有する。熱輻射体12と中間部材13が近いことから近接場光を利用できるため出力密度が高く、光電変換素子11で発電に寄与しない長波長の光が光電変換素子11の半導体層の表面を伝播することを防止することができるため発電効率が高い。【選択図】図1
請求項(抜粋):
a) 熱輻射体と、 b) 前記熱輻射体から離間して配置された、1層又は複数層の半導体層を有する光電変換素子と、 c) 前記熱輻射体と前記光電変換素子の間に、該光電変換素子に接し、前記1層の半導体層を構成する半導体のバンドギャップエネルギーに対応する波長又は前記複数層の各半導体層を構成する半導体のバンドギャップエネルギーのうちの最小のものに対応する波長であるバンドギャップ波長の1/3以下の距離だけ前記熱輻射体から離間して配置された、波長0.5〜1000μmの光に関して誘電率の実部が正の値を有し且つ前記光電変換素子において光電変換される波長範囲内の少なくとも一部の波長の光を透過する材料から成る中間部材と を備えることを特徴とする熱輻射光発電装置。
IPC (1件):
H02S 10/30
FI (1件):
H02S10/30
Fターム (3件):
5F151AA08 ,  5F151DA03 ,  5F151JA30
引用特許:
審査官引用 (1件)
引用文献:
審査官引用 (1件)
  • DiMatteo, R. et al.

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