半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-103557
公開番号（公開出願番号）：特開2018-133596
出願日： 2018年05月30日
公開日（公表日）： 2018年08月23日
要約：

【課題】酸化物半導体膜をチャネルに用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。【解決手段】加熱処理により第1の結晶構造となりうる酸化物半導体膜と、加熱処理により第2の結晶構造となりうる酸化物半導体膜を積層して形成し、その後加熱処理を行うことによって、第2の結晶構造を有する酸化物半導体膜を種として第1の結晶構造を有する酸化物半導体膜へ結晶成長する。このようにして形成した酸化物半導体膜を、トランジスタの活性層に用いる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上の酸化物半導体積層体と、前記酸化物半導体積層体上の第2の絶縁膜と、ゲート電極と、を有し、前記酸化物半導体積層体は、第1の酸化物半導体膜と、前記第1の酸化物半導体膜上に接する第2の酸化物半導体膜と、を有し、前記第1の酸化物半導体膜は、前記第2の酸化物半導体膜を介して前記ゲート電極と重なる領域を有し、前記第2の酸化物半導体膜の窒素濃度は、前記第1の酸化物半導体膜の窒素濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 29/786

FI (3件)：

H01L29/78 618F , H01L29/78 618B , H01L29/78 618E

Fターム (89件)：

5F110AA14 , 5F110BB02 , 5F110CC01 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD06 , 5F110DD07 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE11 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE30 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF05 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF35 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL07 , 5F110HL11 , 5F110HL12 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110HL24 , 5F110NN02 , 5F110NN24 , 5F110NN34 , 5F110NN40 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP22 , 5F110PP36 , 5F110QQ02 , 5F110QQ06

引用特許：

審査官引用 (3件)

薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-009971 出願人：三星電子株式会社
複合金属酸化物を含むチャネルを有する半導体デバイス
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-502848 出願人：ヒューレット-パッカードデベロップメントカンパニーエル.ピー.
半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-112523 出願人：ローム株式会社, 国立大学法人東北大学

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