特許

J-GLOBAL ID：201803021385604931

アクティブマトリクス基板

発明者： 宮本 忠芳 ,  中野 文樹
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (2件)： 川上 桂子 ,  松山 隆夫
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016066368
公開番号（公開出願番号）：WO2016-195005
出願日： 2016年06月02日
公開日（公表日）： 2016年12月08日
要約：

アクティブマトリクス基板の配線の抵抗を小さくする。アクティブマトリクス基板は、基板31と、基板31に配置され、第1方向に延びる複数の第1配線であるゲート線と、基板31に配置され、第1方向とは異なる第2方向に延びる複数の第2配線であるソース線Siと、ゲート線とソース線との各交点に対応して配置され、ゲート線及びソース線と接続されているトランジスタ2と、絶縁層とを備える。ゲート線及びソース線Siの少なくとも一方は、トランジスタの電極と絶縁層のコンタクトホールを介して接続されており、絶縁層のコンタクトホールを介して互いに接続されているトランジスタの電極と比べて、厚い膜厚及び抵抗率の小さい材料の少なくとも一方により形成されている。

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板に配置され、第1方向に延びる複数の第1配線と、 前記基板に配置され、前記第1方向とは異なる第2方向に延びる複数の第2配線と、 前記第1配線と前記第2配線との各交点に対応して配置され、前記第1配線及び前記第2配線と接続されているトランジスタと、 絶縁層と、 を備え、 前記第1配線及び前記第2配線の少なくとも一方は、前記トランジスタの電極と前記絶縁層のコンタクトホールを介して接続されており、前記絶縁層のコンタクトホールを介して接続されている前記トランジスタの電極と比べて、厚い膜厚及び抵抗率の小さい材料の少なくとも一方により形成されている、アクティブマトリクス基板。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H01L 29/786 ,  G09F 9/30

FI (3件)：

H01L27/146 C ,  H01L29/78 612C ,  G09F9/30 338

Fターム (73件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA03 ,  4M118CA05 ,  4M118CA06 ,  4M118CB06 ,  4M118CB11 ,  4M118CB14 ,  4M118EA14 ,  4M118FB03 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118FB24 ,  4M118HA26 ,  5C094AA21 ,  5C094AA53 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094DA15 ,  5C094DB01 ,  5C094FA01 ,  5F110AA03 ,  5F110BB10 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HL02 ,  5F110HL04 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110HM05 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN73