特許

J-GLOBAL ID：201803021418981027

半導体装置の製造方法

発明者： 西村 信也 ,  高橋 一平 ,  鈴木 巨裕
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所 ,  株式会社デンソー
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-201133
公開番号（公開出願番号）：特開2018-064023
出願日： 2016年10月12日
公開日（公表日）： 2018年04月19日
要約：

【課題】 イオン注入される半導体領域に欠陥が生じることを抑制しつつ、少ない回数のイオン注入で底部領域と接続領域を形成する技術を提供する。【解決手段】 半導体基板の表面にトレンチを形成する。トレンチを埋め込む第1部分と半導体基板の表面を覆う第2部分を有する酸化物層を形成する。酸化物層の表面の一部において第1部分とその両側の第2部分に跨る範囲を覆い、酸化物層の表面の他部において第1部分とその両側の第2部分に跨る開口部を有するエッチングマスクを形成する。開口部からエッチングすることにより、開口部の下側の酸化物層を除去するとともに、開口部の下側のトレンチの側面の傾斜角度を増大させる。トレンチの側面の傾斜角度を増大させた後に、酸化物層を介してトレンチの底面と側面にp型不純物を注入することによってトレンチの底面と側面に露出する範囲にp型領域を形成する。【選択図】 図9

請求項（抜粋）：

半導体装置の製造方法であって、 半導体基板の表面にトレンチを形成する工程と、 前記トレンチを埋め込む第1部分と前記半導体基板の表面を覆う第2部分を有する酸化物層を形成する工程と、 前記酸化物層の表面の一部において前記第1部分とその両側の前記第2部分に跨る範囲を覆い、前記酸化物層の前記表面の他部において前記第1部分とその両側の前記第2部分に跨る開口部を有するエッチングマスクを形成する工程と、 前記開口部からエッチングすることにより、前記開口部の下側の前記酸化物層を除去するとともに、前記開口部の下側の前記トレンチの側面の傾斜角度を増大させる工程と、 前記トレンチの前記側面の傾斜角度を増大させた後に、前記酸化物層を介して前記トレンチの底面と前記側面にp型不純物を注入することによって前記トレンチの前記底面と前記側面に露出する範囲にp型領域を形成する工程、 を備える製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/265

FI (9件)：

H01L29/78 658G ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652F ,  H01L29/78 652S ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652J ,  H01L29/78 658A ,  H01L21/265 R